[發明專利]功率轉換裝置

在審

• 申請號: 201210119111.5
• 申請日: 2012-04-20
• 公開（公告）號: CN102857135A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 池田又彥;小林勝;森武直紀;三井貴夫;前川博敏;石橋誠治;井出之上慎介
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H02M7/537
• 分類號: H02M7/537;H01L25/18
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種功率轉換裝置，具有：進行開關動作的2個1組的半導體開關(S1a、S1b)，其中半導體開關由FET(FET1a、FET1b)和反并聯連接于所述FET(FET1a、FET1b)的回流二極管(D1a、D1b)構成；以及平滑電容器(C1)，僅使所述2個1組的半導體開關(S1a、S1b)中的一方通電，通過開關動作進行功率轉換，這種電壓型的功率轉換裝置(10)的特征在于，包括：

對流過所述半導體開關(S1a、S1b)的電流的方向進行檢測的單元(CS1)；以及

控制部(11)，該控制部(11)在流過所述半導體開關(S1a、S1b)的電流的方向為負時，使所述半導體開關(S1a、S1b)的PWM選通脈沖信號成為對于互補選通脈沖信號、抽去了一部分或全部導通信號的選通脈沖信號。

2.如權利要求1所述的功率轉換裝置，其特征在于，設所述2個1組的半導體開關(S1a、S1b)為n組、所述平滑電容器(C1)為n個時，n＝1。

3.如權利要求1所述的功率轉換裝置，其特征在于，設所述2個1組的半導體開關(S1a、S1b)為n組、所述平滑電容器(C1)為n個時，n＝2。

4.如權利要求1～3中任一項所述的功率轉換裝置，其特征在于，

包括對流過所述半導體開關(S1a、S1b)的電流的大小進行檢測的單元(CS1)，

所述控制部(11)在流過所述半導體開關(S1a、S1b)的電流的大小為規定閾值以上的較大值、且所述半導體開關(S1a、S1b)的電流的方向為負時，使所述PWM選通脈沖信號成為對于互補選通脈沖信號、抽去了一部分或全部導通信號的選通脈沖信號，

所述控制部(11)在流過所述半導體開關(S1a、S1b)的電流為小于所述規定閾值的較小值時，使所述PWM選通脈沖信號作為互補選通脈沖信號輸出。

5.如權利要求1～3中任一項所述的功率轉換裝置，其特征在于，

包括對所述半導體開關(S1a、S1b)的溫度進行檢測的單元，

所述控制部(11)在所述半導體開關(S1a、S1b)為規定溫度以上的高溫、且流過所述半導體開關(S1a、S1b)的電流的方向為負時，使所述PWM選通脈沖信號成為對于互補選通脈沖信號、抽去了一部分或全部導通信號的選通脈沖信號，

所述控制部(11)在所述半導體開關(S1a、S1b)為低于所述規定溫度的低溫時，輸出互補選通脈沖信號。

6.如權利要求1～3中任一項所述的功率轉換裝置，其特征在于，

包括對冷卻所述半導體開關(S1a、S1b)的散熱片(66)的溫度進行檢測的單元，

所述控制部(11)在所述散熱片(66)為規定溫度以上的高溫、且流過所述半導體開關(S1a、S1b)的電流的方向為負時，使所述PWM選通脈沖信號成為對于互補選通脈沖信號、抽去了一部分或全部導通信號的選通脈沖信號，

所述控制部(11)在所述散熱片(66)為低于所述規定溫度的低溫時，輸出互補選通脈沖信號。

7.如權利要求1～3中任一項所述的功率轉換裝置，其特征在于，

包括對冷卻所述半導體開關(S1a、S1b)的散熱片(66)的制冷劑溫度進行檢測的單元，

所述控制部(11)在所述制冷劑為規定溫度以上的高溫、且流過所述半導體開關(S1a、S1b)的電流的方向為負時，使所述PWM選通脈沖信號成為對于互補選通脈沖信號、抽去了一部分或全部導通信號的選通脈沖信號，

所述控制部(11)在所述制冷劑為低于所述規定溫度的低溫時，輸出互補選通脈沖信號。

8.如權利要求1～3中任一項所述的功率轉換裝置，其特征在于，所述FET(FET1a、FET1b)為SiC、GaN等寬帶隙半導體。

9.如權利要求1～3中任一項所述的功率轉換裝置，其特征在于，所述回流二極管(D1a、D1b)為使用了SiC、GaN等寬帶隙半導體的肖特基勢壘二極管。