[發明專利]等離子體處理裝置和等離子體處理方法

有效

• 申請號: 201210118787.2
• 申請日: 2012-03-02
• 公開（公告）號: CN102686005A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 山澤陽平
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

具有電介質窗的處理容器；

在所述處理容器內保持被處理基板的基板保持部；

處理氣體供給部，其向所述處理容器內供給期望的處理氣體，以用于對所述基板實施期望的等離子體處理；

設置在所述電介質窗外的RF天線，其用于在所述處理容器內，通過感應結合生成處理氣體的等離子體；和

高頻供電部，其向所述RF天線供給適合于所述處理氣體的高頻放電的頻率的高頻電力，

所述RF天線具有：分別在徑向隔開間隔相對地配置在內側和外側，并在設置于所述高頻供電部的高頻傳送路徑上的第一節點和第二節點之間并聯電連接的內側線圈和外側線圈，

在從所述第一節點到所述第二節點將各個高頻分支傳送路徑一筆旋繞畫成的情況下，使通過所述內側線圈時的方向和通過所述外側線圈時的方向在周向上相反，

在所述第一節點和所述第二節點之間，設置有與所述內側線圈或所述外側線圈中的任一個串聯電連接的第一電容器。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在所述內側線圈和所述外側線圈中，分別流有在周向上方向相同的電流。

3.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在所述內側線圈和外側線圈之間，在與所述第一電容器串聯連接的線圈中流動的電流比在另一個線圈中流動的電流小。

4.如權利要求2或3所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一電容器具有比其與線圈產生串聯共振的靜電電容小的靜電電容，所述線圈與所述第一電容器串聯電連接。

5.如權利要求1～4中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一電容器為可變電容器，通過改變其靜電電容的值，控制在與所述第一電容器串聯電連接的線圈中流動的電流的方向和電流量。

6.如權利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

以在所述第一節點和所述第二節點之間不產生并聯共振的方式，選擇所述第一可變電容器的靜電電容。

7.如權利要求1～6中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在所述第一節點與所述第二節點之間，設置有與所述內側線圈或者所述外側線圈中的任意的另一個串聯電連接的第二電容器。

8.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第二電容器為可變電容器，通過改變其靜電電容的值，控制在與所述第二電容器串聯電連接的線圈中流動的電流的電流量。

9.如權利要求1～8中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述內側線圈和所述外側線圈同軸地配置。

10.如權利要求9所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述內側線圈和所述外側線圈同心狀地配置。

11.如權利要求10所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述電介質窗形成所述處理容器的頂部，

所述內側線圈和所述外側線圈都搭載配置在所述電介質窗上。

12.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

具有電介質窗的處理容器；

在所述處理容器內保持被處理基板的基板保持部；

處理氣體供給部，其向所述處理容器內供給所期望的處理氣體，以用于對所述基板實施期望的等離子體處理；

設置在所述電介質窗外的RF天線，其用于在所述處理容器內通過感應結合生成處理氣體的等離子體；和

高頻供電部，其向所述RF天線供給適合于所述處理氣體的高頻放電的頻率的高頻電力，

所述RF天線具有：分別在徑向隔開間隔相對地配置在內側、中間和外側，并在設置于所述高頻供電部的高頻傳送路徑上的第一節點和第二節點之間并聯電連接的內側線圈、中間線圈和外側線圈，

在從所述第一節點到所述第二節點將各個高頻分支傳送路徑一筆旋繞畫成的情況下，使通過所述中間線圈時的方向與分別通過所述內側線圈和所述外側線圈時的方向在周向上相反，

在所述第一節點與所述第二節點之間設置有與所述中間線圈串聯電連接的第一電容器。