[發(fā)明專利]最小負(fù)載電流適配電路及主板

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210117501.9
• 申請(qǐng)日: 2012-04-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103376873A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 童松林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): G06F1/32
• 分類號(hào): G06F1/32;G06F1/16
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種最小負(fù)載電流適配電路，電性連接至一電源模塊及一中央處理器，所述電源模塊輸出多路電源，其特征在于：所述最小負(fù)載電流適配電路包括控制單元及與多路電源數(shù)量相同的多個(gè)負(fù)載電流適配單元，每一個(gè)所述負(fù)載電流適配單元電性連接至其中一路對(duì)應(yīng)的電源的輸出端，用于增加對(duì)應(yīng)的所述電源的輸出電流以使所述輸出電流大于對(duì)應(yīng)的所述電源的最小負(fù)載電流；所述控制單元用于在所述電源模塊開(kāi)始啟動(dòng)時(shí)控制每一個(gè)所述負(fù)載電流適配單元開(kāi)始工作，并在所述中央處理器受電正常工作后，控制所述負(fù)載電流適配單元停止工作。

2.如權(quán)利要求1所述的最小負(fù)載電流適配電路，其特征在于：所述控制單元包括第一NPN型三極管、第二NPN型三極管、第三NPN型三極管以及P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述第一NPN型三極管的集電極通過(guò)電性連接至所述電源模塊的備用電源，發(fā)射極接地；所述第二NPN型三極管的基極電性連接至第一NPN型三極管的集電極，發(fā)射極接地，集電極電性連接至所述P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極；所述第三NPN型三極管的基極電性連接至所述中央處理器，發(fā)射極接地，集電極電性連接至第一NPN型三極管的集電極；所述P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極電性連接至所述電源模塊的備用電源，漏極電性連接至負(fù)載電流適配單元；當(dāng)所述電源啟動(dòng)時(shí)，所述第一第一NPN型三極管的基極接收一低電平信號(hào)，所述P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通，所述備用電源給所述負(fù)載電流適配單元供電；當(dāng)所述中央處理器正常工作時(shí)，所述中央處理器輸出一高電平信號(hào)至所述第三NPN型三極管的基極，所述P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管截止，所述備用電源停止給每一個(gè)所述負(fù)載電流適配單元供電。

3.如權(quán)利要求2所述的最小負(fù)載電流適配電路，其特征在于：所述控制單元還包括第一分壓電路，所述第一分壓電路包括相互串聯(lián)至所述中央處理器與地之間的第一分壓電阻以及第二分壓電阻，所述第三NPN型三極管的基極電性連接至第一分壓電阻及第二分壓電阻之間的節(jié)點(diǎn)；所述第一分壓電路用于對(duì)中央處理器輸出的高電平信號(hào)的電壓進(jìn)行分壓以使第三NPN型三極管能正常導(dǎo)通。

4.如權(quán)利要求2所述的最小負(fù)載電流適配電路，其特征在于：每一個(gè)所述負(fù)載電流適配單元包括第一運(yùn)算放大器、N溝道MOSFET以及限流電阻，所述第一運(yùn)算放大器的同相輸入端電性連接至所述P溝道MOSFET的漏極，反向輸入端電性連接N溝道MOSFET的源極，輸出端電性連接至所述N溝道MOSFET的柵極；所述N溝道MOSFET的漏極電性連接至其中一個(gè)所述電源，所述限流電阻電性連接至所述第一運(yùn)算放大器的反向輸入端與所述N溝道MOSFET的源極之間的節(jié)點(diǎn)與地之間；當(dāng)所述P溝道MOSFET導(dǎo)通時(shí)所述備用電源提供一參考電壓至所述第一運(yùn)算放大器的同相輸入端時(shí)，所述第一運(yùn)算放大器的輸出端驅(qū)動(dòng)所述N溝道MOSFET導(dǎo)通，所述N溝道MOSFET及限流電阻上則由電流流過(guò)，從而增加了所述電源的輸出電流。

5.如權(quán)利要求4所述的最小負(fù)載電流適配電路，其特征在于：所述負(fù)載電流適配單元還包括基準(zhǔn)電壓源，所述基準(zhǔn)電壓源電性連接至所述P溝道MOSFET的漏極與所述第一運(yùn)算放大器的同相輸入端之間，所述基準(zhǔn)電壓源用于將所述第一運(yùn)算放大器的同相輸入端的電壓穩(wěn)定在所述參考電壓。

6.如權(quán)利要求5所述的最小負(fù)載電流適配電路，其特征在于：所述負(fù)載電流適配單元還包括第二運(yùn)算放大器，所述第二運(yùn)算放大器的同相輸入端電性連接至所述基準(zhǔn)電壓源，所述第二運(yùn)算放大器的反相輸入端與輸出端相互短接，且所述第二運(yùn)算放大器的輸出端還電性連接至所述第一運(yùn)算放大器的同相輸入端，所述第二運(yùn)算放大器用于對(duì)所述基準(zhǔn)電壓源輸出的電壓進(jìn)行低通濾波。

7.如權(quán)利要求4所述的最小負(fù)載電流適配電路，其特征在于：所述負(fù)載適配單元還包括多個(gè)可選電阻及與多個(gè)可選電阻數(shù)量相同的多個(gè)跳帽，每一可選電阻的一端電性連接至第一運(yùn)算放大器的反相輸入端與所述N溝道MOSFET的源極之間，另一端通過(guò)對(duì)應(yīng)的所述跳帽接地，每一跳帽用于選通對(duì)應(yīng)的可選電阻以將對(duì)應(yīng)的可選電阻并聯(lián)至所述限流電阻兩端。

8.一種主板，包括電源模塊、中央處理器以及電性連接至所述電源模塊及中央處理器的電源接口，所述電源模塊用于輸出多路電源以及備用電源，所述電源接口用于發(fā)送一電源啟動(dòng)信號(hào)至所述電源模塊以控制所述電源模塊輸出多路所述電源，所述中央處理器用于在受電正常工作后輸出一電源正常信號(hào)，其特征在于：所述主板還包括如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的最小負(fù)載電流適配電路。