[發明專利]改進的背面照明圖像傳感器架構及其制造方法有效
| 申請號: | 201210117321.0 | 申請日: | 2012-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN103311256A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | V.奧加涅相 | 申請(專利權)人: | 奧普蒂茲公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉春元;李家麟 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 改進 背面 照明 圖像傳感器 架構 及其 制造 方法 | ||
1.一種圖像傳感器器件,包括:
襯底,其包括:
???????多個光電檢測器,其中,所述多個光電檢測器的第一部分每個具有比所述多個光電檢測器的第二部分中的每個小的橫向尺寸;
???????多個接觸焊盤,其被電耦合到光電檢測器;
多個濾色器,其每個被設置在光電檢測器中的一個之上;
其中,所述多個光電檢測器被配置為響應于通過濾色器入射的光產生電子信號。
2.權利要求1的圖像傳感器器件,其中:
所述多個光電檢測器被以二維陣列布置在襯底中;
所述多個光電檢測器的第一部分被接近于陣列的中心設置;
所述多個光電檢測器中的第二個被接近于陣列的周界設置。
3.權利要求2的圖像傳感器器件,其中:
所述多個光電檢測器的第三部分每個具有比所述多個光電檢測器的第二部分中的每個小的橫向尺寸;
所述多個光電檢測器的第三部分每個具有比所述多個光電檢測器的第一部分中的每個大的橫向尺寸;
所述多個光電檢測器的第三部分被設置在所述多個光電檢測器的第一和第二部分之間。
4.權利要求2的圖像傳感器器件,其中,所述多個光電檢測器的密度在陣列的中心處比在陣列的周界處大。
5.權利要求1的圖像傳感器器件,其中,光電檢測器中的橫向鄰近的光電檢測器被以遍及陣列基本上相同的間距相互隔開。
6.權利要求1的圖像傳感器器件,其中,所述襯底具有前和后相對表面,所述多個光電檢測器是在前表面處形成的,并且所述多個接觸焊盤是在前表面處形成的,其中,所述圖像傳感器器件還包括:
腔體,其延伸至背表面中并具有底面;
多個輔助腔體,每個延伸到底面且在光電檢測器中的一個之上;以及
設置在輔助腔體中的吸收補償材料,其中,所述吸收補償材料具有與襯底的光吸收特性不同的光吸收特性;
其中,所述多個濾色器中的每一個被設置在腔體中或輔助腔體中的一個中。
7.權利要求6的圖像傳感器器件,其中,所述輔助腔體中的吸收補償材料的深度改變以針對所述多個光電檢測器中的不同的光電檢測器提供變化的光吸收量。
8.權利要求7的圖像傳感器器件,其中,所述輔助腔體的深度改變。
9.權利要求7的圖像傳感器器件,其中:
所述多個濾色器包括第一濾色器、第二濾色器和第三濾色器;
所述輔助腔體被設置在第一濾色器和第二濾色器下面;
在第一濾色器下面的吸收補償材料的深度大于在第二濾色器下面的吸收補償材料的深度。
10.權利要求9的圖像傳感器器件,其中,在第三濾色器下面沒有設置輔助腔體。
11.權利要求10的圖像傳感器器件,其中,第一色彩是紅色,第二色彩是綠色且第三色彩是藍色。
12.權利要求1的圖像傳感器器件,其中,所述襯底具有前和后相對表面,所述多個光電檢測器是在前表面處形成的,并且所述多個接觸焊盤是在前表面處形成的,其中,所述圖像傳感器器件還包括:
多個輔助腔體,每個延伸到背表面且在光電檢測器中的一個之上;以及
設置在輔助腔體中的吸收補償材料,其中,所述吸收補償材料具有與襯底的光吸收特性不同的光吸收特性;
其中,所述多個濾色器中的每一個被設置在背表面上或在輔助腔體中的一個中。
13.權利要求12的圖像傳感器器件,其中,所述輔助腔體中的吸收補償材料的深度改變以針對所述多個光電檢測器中的不同的光電檢測器提供變化的光吸收量。
14.權利要求13的圖像傳感器器件,其中,所述輔助腔體的深度改變。
15.權利要求13的圖像傳感器器件,其中:
所述多個濾色器包括第一濾色器、第二濾色器和第三濾色器;
所述輔助腔體被設置在第一濾色器和第二濾色器下面;
在第一濾色器下面的吸收補償材料的深度大于在第二濾色器下面的吸收補償材料的深度。
16.權利要求15的圖像傳感器器件,其中,在第三濾色器下面沒有設置輔助腔體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





