[發明專利]本地振蕩器時鐘信號

無效

• 申請號: 201210117307.0
• 申請日: 2012-04-19
• 公開（公告）號: CN102751949A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 阿卜杜勒拉蒂夫·貝拉瓦爾;塞·陶爾·李
• 申請（專利權）人: 艾色拉有限責任公司
• 主分類號: H03D7/16
• 分類號: H03D7/16
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種用于為混頻器電路產生互補周期信號的裝置，所述裝置包括：

第一產生電路和第二產生電路，所述第一產生電路和所述第二產生電路均用于產生這樣的周期信號，所述周期信號的每個上升沿上的轉變時間不同于每個下降沿上的轉變時間，每個電路具有輸出端，用于將其周期信號供給到混頻器，使得來自所述電路中的一個的周期信號的每個上升沿與來自所述電路中的另一個的周期信號的每個下降沿在位于所述混頻器的導通電壓之下的交叉點處交叉。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，每個上升沿的轉變時間比每個下降沿的轉變時間慢。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述第一產生電路和所述第二產生電路中的每一個均包括串聯連接的第一CMOS反相器和第二CMOS反相器。

4.根據權利要求3所述的裝置，其中，所述第一產生電路和所述第二產生電路的所述第一CMOS反相器均被配置為接收具有相等的振幅和相反的相位的方波。

5.根據權利要求3所述的裝置，其中，所述第一CMOS反相器包括串聯連接的具有不同尺寸的PMOS晶體管和NMOS晶體管；并且所述第二CMOS反相器包括串聯連接的具有不同尺寸的PMOS晶體管和NMOS晶體管。

6.根據權利要求5所述的裝置，其中，所述第一CMOS反相器的所述PMOS晶體管與所述第一CMOS反相器的所述NMOS晶體管相比具有較大的溝道寬度，并且所述第二CMOS反相器的所述NMOS晶體管與所述第二CMOS反相器的所述PMOS晶體管相比具有較大的溝道寬度。

7.根據權利要求5所述的裝置，其中，所述第一CMOS反相器的所述PMOS晶體管與所述第一CMOS反相器的所述NMOS晶體管相比具有較小的溝道長度，并且所述第二CMOS反相器的所述NMOS晶體管與所述第二CMOS反相器的所述PMOS晶體管相比具有較小的溝道長度。

8.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述第一產生電路和所述第二產生電路被連接在上部電壓源軌和下部電壓源軌之間，所述交叉點在電壓的中值點之下。

9.一種用于為混頻器產生互補周期信號的方法，所述方法包括：

從第一產生電路和第二產生電路中的每一個產生第一周期信號和第二周期信號，所述周期信號的每個上升沿上的轉變時間不同于每個下降沿上的轉變時間；

在用于與所述混頻器連接的第一輸出端處供給所述第一周期信號；以及

在用于與所述混頻器連接的第二輸出端處供給所述第二周期信號，使得所述第一輸出端處的每個上升沿被定時在位于所述混頻器的導通電壓之下的交叉點處與所述第二輸出端處的每個下降沿交叉。

10.一種CMOS無源混頻器，所述CMOS無源混頻器包括第一晶體管和第二晶體管，并且所述CMOS無源混頻器還包括：

第一產生電路和第二產生電路，所述第一產生電路和所述第二產生電路均用于產生這樣的周期信號，所述周期信號的每個上升沿上的轉變時間不同于每個下降沿上的轉變時間，每個電路具有輸出端，用于將所述電路的周期信號供給到混頻器，使得來自所述電路中的一個的周期信號的每個上升沿與來自所述電路中的另一個的周期信號的每個下降沿在位于所述混頻器的導通電壓之下的交叉點處交叉；

其中，來自所述第一產生電路的周期信號控制所述第一晶體管，并且來自所述第二產生電路的周期信號控制第二晶體管，使得所述第一晶體管和所述第二晶體管中任何一次只有一個被導通。

11.根據權利要求10所述的CMOS無源混頻器，其中，所述CMOS無源混頻器中的所述第一晶體管和所述第二晶體管是本位晶體管。

12.根據權利要求10所述的CMOS無源混頻器，其中，來自所述第一產生電路和所述第二產生電路的周期信號均處于所述混頻器的混合頻率處。