[發明專利]粉末料裝料投爐鑄錠提純方法

無效

• 申請號: 201210117205.9
• 申請日: 2012-04-19
• 公開（公告）號: CN102642836A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 吳慶;王祿寶;徐勇;袁志鐘
• 申請（專利權）人: 江蘇美科硅能源有限公司
• 主分類號: C01B33/037
• 分類號: C01B33/037
• 代理公司: 上海海頌知識產權代理事務所(普通合伙) 31258
• 代理人: 季萍

技術領域

該發明涉及一種多晶硅鑄錠技術領域，具體是一種將粉料超過90％的硅料裝料提純的方法。

背景技術

粉末料為流化床法生產硅原料的附屬產品，將其用于鑄錠提純時，其易被抽真空抽出或被返充氣吹出，因此鑄錠時通常使用大量廢棄層回收料覆蓋在粉料上面，目前鑄錠提純粉料用量一般不超過50％。所以使用粉末料提純需要較多的廢棄層回收料，并沒有真正實現粉末料提純，且提純受到廢棄層回收料庫存的限制。

發明內容

本發明的目的是，提供一種可以不使用廢棄層回收料，并能大量使用粉末料裝料鑄錠提純的方法。采用本方法提純粉末料可以不受廢棄層回收料庫存的限制。

技術方案：一種粉末料裝料投爐鑄錠提純方法，包括以下步驟：

a)將粉末料壓制成圓柱體粉棒，

b)使用硅片鋪在坩堝底部和側壁；

c)將粉棒和粉末料逐層擺放，所述粉棒豎直排列；去除硅料及坩堝上的粉塵；

d)將硅料投爐，取消設備返充氣程序，緩速抽真空后鑄錠運行。

最上面一層豎直擺放的粉棒下面鋪放一層硅片；硅片厚度為6-8片。所述坩堝底部和側壁擺放2-3片完整的硅片。所述硅片片厚100um-300um，尺寸為：長156±0.5mm，寬156±0.5mm。

所述豎直排列的粉棒層的排列方式為橫縱各13排，共169根粉棒。最上面一層豎直擺放的粉棒上面再橫臥擺放一層粉棒。所述橫臥擺放的粉棒層的排列方式為橫縱分別為12排和8排，共96根粉棒。所述粉棒的外形尺寸為高85±3mm，底部直徑63±2mm。

所述硅片上鋪放10-15kg粉末料，使其表面平整。

有益效果：本發明可以不使用廢棄層回收料，并能大量使用粉末料裝料鑄錠提純；采用本方法提純粉末料可以不受廢棄層回收料庫存的限制。

具體實施方式

為了使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面對本發明的優選實施例進行詳細的描述。

a.將粉末料壓制成高85±3mm，底部直徑63±2mm的圓柱體，稱為粉棒。

b.在坩堝底部鋪完整的硅片，厚度為2-3片，在坩堝側壁每側豎直擺放完整硅片，厚度為2-3片。

c.在硅片上鋪放10-15kg粉末料，使其表面平整。

d.在粉末料上按13*13豎直擺放169根粉棒。

e.在粉棒上鋪放10-15kg粉末料，使其表面平整。

f.在坩堝側壁豎直擺放完整硅片，厚度為2-3片。

g.在粉末料上按13*13豎直擺放169根粉棒。

h.在粉棒上鋪放10-15kg粉末料，使其表面平整。

i.在坩堝側壁豎直擺放完整硅片，厚度為2-3片。

j.在粉末料上按13*13豎直擺放169根粉棒。

k.在粉棒上鋪放10-15kg粉末料，使其表面平整。

l.在粉末料表面鋪完整的硅片，厚度為6-8片，在坩堝側壁豎直擺放完整硅片，厚度為2-3片，。

m.在硅片上按13*13豎直擺放169根粉棒。

n.在最上層按12*8橫臥擺放96根粉棒。

o.除去硅料及坩堝表面粉塵，將硅料投入鑄錠爐中，若運行程序中有返充氣過程將其取消掉，壓力下降速率控制為0.07±0.005mbar/s，抽氣至爐內壓力小于0.04mbar即可運行鑄錠程序。