[發(fā)明專利]一種電荷俘獲存儲(chǔ)器

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210117063.6
• 申請(qǐng)日: 2012-04-19
• 公開（公告）號(hào): CN102683350A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉鋒;劉曉彥;杜剛;康晉鋒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種電荷俘獲存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：襯底、源極、漏極、隧穿層、電荷俘獲層、阻擋層和包圍溝道的多柵極，所述襯底的兩端形成源級(jí)和漏極，形成于所述襯底之上的隧穿層將所述源極和漏極隔開，在所述隧穿層上面依次為電荷俘獲層、阻擋層和包圍溝道的多柵極，所述包圍溝道的多柵極依次包圍隧穿層、電荷俘獲層和阻擋層。

2.如權(quán)利要求1所述的電荷俘獲型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述柵極材料包括：鉑、金、鋁化鈦合金、鈀、鋁所構(gòu)成的組合物、金屬氮化物、金屬硼氮化物、金屬硅氮化物、金屬硅化物和金屬鋁氮化物中的至少一種。

3.如權(quán)利要求1所述的電荷俘獲型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述電荷俘獲層材料包括：氧化鉭、二氧化鈦、鈦酸鋇，鈦酸鍶、二氧化鋯、鋯鈦酸鉛、二氧化鉿、氧化鋁、氧化釔、氧化鑭、富含氧的氧氮化硅、富含氮的氧氮化硅、氮化鋁、氮化硅、富含硅的氮化物、氧化鉿、氧化鈦、氮氧化鉿和硅酸鉿中的至少一種。

4.如權(quán)利要求1所述的電荷俘獲型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述阻擋層材料為介電常數(shù)大于二氧化硅的介電常數(shù)的介電材料，其包括：硅的氧化物、鉿的氧化物、鋯的氧化物、硅的氮化物、鋁的氧化物、氮氧化鉿化合物、鋁酸鉿化合物、二氧化鈦，五氧化二鉭，氧化鋁，二氧化鈰，三氧化鎢，氧化釔中的至少一種。

5.如權(quán)利要求4所述的電荷俘獲型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述二氧化硅的介電常數(shù)為3.9，所述阻擋氧化層介電常數(shù)至少為7。

6.如權(quán)利要求4所述的電荷俘獲型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述阻擋層由鉿的氧化物形成，摻雜在所述阻擋層中的過渡金屬為鉭、釩、釕和鈮中的至少一種。

7.如權(quán)利要求4所述的電荷俘獲型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述阻擋層由鋯的氧化物形成，摻雜在所述阻擋層中的過渡金屬為鎢、釕、鉬、鎳、鈮、釩、鈦和鋅中的至少一種。

8.如權(quán)利要求1所述的電荷俘獲型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述隧穿層材料包括：三氧化二鋁、三氧化二鐠、二氧化鈦、二氧化硅、二氧化鉿、二氧化鋯、氮化硅、氮化鋁、氮化鉿中的至少一種。

9.如權(quán)利要求8所述的電荷俘獲型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述隧穿層包括：依次形成的第一氧化層、氮化層和第二氧化層或者第一氮化層、氧化層和第二氮化層。