[發明專利]虛擬結構和方法

有效

• 申請號: 201210116984.0
• 申請日: 2012-04-19
• 公開（公告）號: CN102779744A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 弗蘭克·許布英格;科斯廷·肯默;斯特芬·羅滕哈伊澤爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/762;H01L29/423
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種用于制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在基板上形成材料層；

使用第一主圖案來圖案化第一半球區域；

使用第二主圖案來圖案化第二半球區域，其中，所述第一主圖案與所述第二主圖案不同；以及

在所述第一半球區域中引入第一虛擬圖案，從而使得所述第一半球區域中的所述第一主圖案和所述第一虛擬圖案的第一側壁區表面密度與所述第二半球區域中的所述第二主圖案的第二側壁區表面密度基本相同。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述第二半球區域中引入第二虛擬圖案，從而使得所述第二主圖案和所述第二虛擬圖案形成所述第二側壁區表面密度。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一半球區域從由切槽區域、模擬或襯墊區域、易失存儲區域和非易失存儲區域組成的組中進行選擇，并且其中，所述第二半球區域為標準庫區。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，引入所述第一虛擬圖案基本上保持了晶片或芯片的平均圖案密度。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一虛擬圖案設置在活性區和隔離區上。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一虛擬圖案與方向無關。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一側壁區表面密度在所述第二側壁區表面密度的35％范圍內。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一側壁區表面密度在所述第二側壁區表面密度的5％范圍內。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一虛擬圖案包括9個桿的組，每個桿的尺寸為0.18μm×1.3μm。

10.一種用于制造側壁隔離件的方法，所述方法包括：

為第一半球區和第二半球區中的材料層提供圖案密度；

增加所述第一半球區域中的第一側壁區表面密度；以及

保持所述第二半球區域中的第二側壁區表面密度，其中，所述第一側壁區表面密度在所述第二側壁區表面密度的35％的范圍內。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述第一側壁區表面密度在第二側壁區表面密度的5％的范圍內。

12.根據權利要求10所述的方法，其中，所述第一半球區域中的第一側壁隔離件與所述第二半球區域中的第二側壁隔離件厚度基本上相同。

13.根據權利要求10所述的方法，其中，所述材料層包括多晶硅柵極層或金屬柵極層。

14.根據權利要求10所述的方法，其中，所述第一半球區域為切槽區域或模擬和襯墊區域，并且其中，所述第二半球區域為標準庫區。

15.根據權利要求10所述的方法，還包括在所述第一半球區域中和第二半球區域中形成所述側壁隔離件。

16.一種半導體器件，包括：

第一半球區域中基板上的材料層中的第一柵極圖案和第一虛擬圖案，所述第一柵極圖案和所述第一虛擬圖案具有第一側壁區表面密度；以及

第二半球區域中基板上的所述材料層中的第二柵極圖案，所述第二柵極圖案具有第二側壁區表面密度，其中，所述第一側壁區表面密度在所述第二側壁區表面密度的35％的范圍內。

17.根據權利要求16所述的半導體器件，其中，所述第一側壁區表面密度在所述第二側壁區表面密度的5％的范圍內。

18.根據權利要求16所述的半導體器件，其中，所述第一半球區域為模擬或襯墊區域且其中所述第二半球區域為標準庫區。

19.根據權利要求16所述的半導體器件，其中，所述第一虛擬圖案設置在活性區和隔離區上。

20.根據權利要求16所述的半導體器件，其中，所述第一虛擬圖案與方向無關。