[發明專利]對現有版圖填充冗余多晶硅條陣列的插入方法

有效

• 申請號: 201210116937.6
• 申請日: 2012-04-19
• 公開（公告）號: CN102664142A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 韓曉霞
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;G06F17/50
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224
• 代理人: 胡紅娟

1.一種對現有版圖填充冗余多晶硅條陣列的插入方法，其特征在于，包括步驟：

(1)提取標準單元的位置信息；所述的標準單元的位置信息即標準單元在版圖中的相對位置坐標X和Y；

(2)基于提取的位置信息，對標準單元位置進行排序；

(3)判斷相鄰的標準單元是否存在間距；

(4)若存在間距，則在該相鄰的兩個標準單元相對的邊界處分別插入冗余多晶硅條陣列；

若不存在間距，則該相鄰的兩個標準單元的邊界間共享地插入冗余多晶硅條陣列；

(5)對插入冗余多晶硅條陣列后的版圖進行版圖設計規則和版圖與原理圖的一致性檢查。

2.如權利要求1所述對現有版圖填充冗余多晶硅條陣列的插入方法，其特征在于，步驟(2)中，所述的對標準單元位置進行排序，包括步驟：

將Y坐標值相同的標準單元排列于同一行內；以及，

對同一行內的標準單元根據X坐標值的大小進行排序。

3.如權利要求1所述對現有版圖填充冗余多晶硅條陣列的插入方法，其特征在于，步驟(3)中，所述判斷相鄰的標準單元是否存在間距基于如下方式：相鄰標準單元的X坐標值差等于左邊標準單元的寬度，表示兩相鄰標準單元間不存在間距；若相鄰標準單元的X坐標值差大于左邊標準單元的寬度，表示兩相鄰標準單元間存在間距。

4.如權利要求1所述對現有版圖填充冗余多晶硅條陣列的插入方法，其特征在于，還包括步驟：設定所述冗余多晶硅條陣列的硅條寬度、所包含的硅條條數以及硅條的間距。

5.如權利要求4所述對現有版圖填充冗余多晶硅條陣列的插入方法，其特征在于，所述冗余多晶硅條陣列的硅條寬度小于版圖設計規則所要求的多晶硅最小線寬。

6.如權利要求5所述對現有版圖填充冗余多晶硅條陣列的插入方法，其特征在于，所述冗余多晶硅條陣列的硅條寬度大體為版圖設計規則所要求的多晶硅最小線寬的十分之一。

7.如權利要求4所述對現有版圖填充冗余多晶硅條陣列的插入方法，其特征在于，所述冗余多晶硅條陣列的硅條的間距大體為冗余多晶硅條陣列的硅條寬度。

8.如權利要求4～7之一所述對現有版圖填充冗余多晶硅條陣列的插入方法，其特征在于，所述冗余多晶硅條陣列的插入位置應滿足版圖設計規則要求的多晶硅與有源區的最小間距。