[發(fā)明專利]深槽絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210116821.2
• 申請日: 2012-04-19
• 公開（公告）號: CN103377917A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設計）人: 高時聲;張挺;李寧寧;羅春來;呂建密
• 申請（專利權）人: 上海勁昕電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 上海晨皓知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 盧剛

1.一種深槽絕緣柵雙極型晶體管制造方法，其特征在于，包含以下步驟：

在基底(001)上進行離子注入，形成摻雜擴散區(qū)(010)，其中，所述形成的摻雜擴散區(qū)(010)在靠近溝槽的邊緣區(qū)域擴散的厚度大于或者等于其中心區(qū)域擴散的厚度；

在形成所述摻雜擴散區(qū)(010)之后，依次形成基極層(024)、發(fā)射極層(025)、柵區(qū)(026)、絕緣層(027)、重摻雜區(qū)(019)和集電極層(022)，得到絕緣柵雙極型晶體管。

2.根據(jù)權利要求1所述的深槽絕緣柵雙極型晶體管制造方法，其特征在于，所述在基底(001)上進行離子注入，形成摻雜擴散區(qū)(010)的步驟中，采用退火擴散的方式形成所述摻雜擴散區(qū)(010)。

3.根據(jù)權利要求2所述的深槽絕緣柵雙極型晶體管制造方法，其特征在于，所述在基底(001)上進行離子注入，形成摻雜擴散區(qū)(010)的步驟中，包含以下子步驟：

對所述基底(001)上進行離子注入，形成注入層(007)；

退火擴散，形成第一擴散層(008)；

沉積擴散源(009)；

第二次退火擴散，形成所述摻雜擴散區(qū)(010)和第二擴散層(011)；

去除第二擴散層(011)，得到所述摻雜擴散區(qū)(010)。

4.根據(jù)權利要求2所述的深槽絕緣柵雙極型晶體管制造方法，其特征在于，所述在基底(001)上進行離子注入，形成摻雜擴散區(qū)(010)的步驟中，包含以下子步驟：

對所述基底(001)上進行離子注入，形成注入層(007)；

退火擴散，形成第一擴散層(008)；

通過向擴散爐管通反應氣體，形成所述摻雜擴散區(qū)(010)和第二擴散層(011)；

去除第二擴散層(011)，得到所述摻雜擴散區(qū)(010)。

5.根據(jù)權利要求1所述的深槽絕緣柵雙極型晶體管制造方法，其特征在于，所述在基底(001)上進行離子注入，形成摻雜擴散區(qū)(010)的步驟之前，還包含以下步驟：

制備基底(001)；

在所述基底(001)上形成溝槽(004)，其中，該溝槽(004)具有圓滑的深槽底，并且該溝槽的上邊沿(005)具有圓滑表面。

6.根據(jù)權利要求5所述的深槽絕緣柵雙極型晶體管制造方法，其特征在于，在所述基底(001)上形成溝槽(004)的步驟中，包含以下子步驟：

在所述基底(001)上形成隔離層(002)，并對隔離層進行圖形化；

對所述基底(001)上未被所述隔離層(002)掩蓋的區(qū)域進行氧化，形成氧化區(qū)域(003)，該氧化區(qū)域(003)的下方具有半橢圓形的截面形狀，并且在與基底和隔離層(002)的交接處具有圓滑表面；

刻蝕去除所述氧化區(qū)域(003)，對所述基底進行刻蝕，形成溝槽(004)；

去除所述隔離層(002)。

7.根據(jù)權利要求6所述的深槽絕緣柵雙極型晶體管制造方法，其特征在于，所述隔離層(002)包含第一隔離層(002A)和第二隔離層(002B)；其中，在對隔離層進行圖形化時，所述第二隔離層(002B)為具有圓滑角的多邊形或者圓形。

8.根據(jù)權利要求7所述的深槽絕緣柵雙極型晶體管制造方法，其特征在于，在去除所述隔離層(002)步驟中，還包含以下子步驟：

去除所述第二隔離層(002B)，保留所述第一隔離層(002A)。