[發(fā)明專利]一種納米催化電解絮凝氣浮裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210115996.1 | 申請(qǐng)日: | 2012-04-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102936072A | 公開(公告)日: | 2013-02-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張世文;許雅玲;鄭宣慶 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 波鷹(廈門)科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C02F9/06 | 分類號(hào): | C02F9/06;C02F1/463;C02F1/465;C02F1/467;C02F1/24;C02F1/52 |
| 代理公司: | 泉州市博一專利事務(wù)所 35213 | 代理人: | 方傳榜 |
| 地址: | 361022 福建省廈門*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 納米 催化 電解 絮凝 裝置 | ||
1.1.一種納米催化電解絮凝氣浮裝置,其特征在于設(shè)有殼體,在殼體內(nèi)設(shè)有混凝沉淀池、一級(jí)氣浮池、電解氣浮池、排渣池四個(gè)池,混凝沉淀池頂部設(shè)有進(jìn)水口和攪拌器,進(jìn)水口通過管道與廢水進(jìn)水管道連接,混凝沉淀池底部與一級(jí)氣浮池相通,邊部排污口與排污管連接;在一級(jí)氣浮池邊部設(shè)有溶氣釋放管,溶氣釋放管與溶氣釋放器、外部氣源連接,排污口與排污管連接,一級(jí)氣浮池內(nèi)側(cè)上部與電解氣浮池相通;電解氣浮池由上下層隔板分為上下二層,上層氣液分離室設(shè)有刮渣裝置,上下層之間裝有電解槽,設(shè)有至少一個(gè)電解槽,電解槽的底部固定在殼體內(nèi)底部,電解槽的頂部敞開并與上下層隔板頂部水平,電解槽內(nèi)安裝有電極,電極包括陽極和陰極,陽極和陰極之間的間距為過水通道,所述陽極通過陽極接線柱與直流電源的陽極聯(lián)接,所述陰極通過陰極接線柱與直流電源的陰極聯(lián)接,排污口設(shè)置在排水沉淀室底部,集水管設(shè)置在排水沉淀室中間偏上位置,與電解出水管道連接;排渣池設(shè)有排渣口,排渣口與排渣管連接。
2.如權(quán)利要求1所述的一種納米催化電解絮凝氣浮裝置,其特征在于所述殼體由內(nèi)、外兩層構(gòu)成,內(nèi)層采用環(huán)氧瀝青漆處理,外層為鋼板。
3.如權(quán)利要求1所述的一種納米催化電解絮凝氣浮裝置,其特征在于所述電解槽內(nèi)安裝有電極,電極包括陽極和陰極,陽極和陰極之間的間距為2mm?~?4mm,電解槽內(nèi)陽極與陰極頂部與電解槽頂部之間留有150mm~200mm高度的間隙。
4.如權(quán)利要求1所述的一種納米催化電解絮凝氣浮裝置,其特征在于所述陽極是以鈦為基板,表面覆蓋有晶粒為10~35nm的金屬氧化物涂層的形穩(wěn)陽極,陽極為平板狀、圓弧狀、圓筒狀、網(wǎng)狀中的一種形狀;所述陰極是以鈦、鐵、鋁、不銹鋼、鋅、銅、鎳、鉛或石墨為材料的陰極,陰極為平板狀、圓弧狀、圓筒狀、網(wǎng)狀中的一種形狀。
5.如權(quán)利要求1所述的一種納米催化電解絮凝氣浮裝置,其特征在于所述納米催化電解絮凝氣浮裝置工作時(shí)電解槽中陽極與陰極間的工作電壓為2~8V,電流密度為10~250mA/cm2。
6.如權(quán)利要求1所述的一種納米催化電解絮凝氣浮裝置,其特征在于所述納米催化電解絮凝氣浮裝置工作時(shí)電解槽中兩極間的最佳工作電壓為3~5V,最佳電流密度為100~150mA/cm2。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于波鷹(廈門)科技有限公司,未經(jīng)波鷹(廈門)科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210115996.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





