[發(fā)明專利]硅通孔結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210115869.1 | 申請日： | 2012-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN103378030A | 公開（公告）日： | 2013-10-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐依協(xié) | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅通孔 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種硅通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
襯底；
至少一個的硅通孔陣列，所述硅通孔陣列包括多個貫穿襯底的硅通孔；
連接多個硅通孔的第一導(dǎo)電線和第二導(dǎo)電線，且第一導(dǎo)電線和第二導(dǎo)電線互相連接，其中，所述第一導(dǎo)電線沿第一方向連接多個硅通孔，所述第二導(dǎo)電線沿第二方向連接多個硅通孔，且第一方向不同于第二方向。
2.如權(quán)利要求1所述硅通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一方向垂直于第二方向。
3.如權(quán)利要求2所述硅通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電線與第二導(dǎo)電線互相連接呈“L”狀、“T”狀或“H”狀。
4.如權(quán)利要求1所述硅通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一方向與第二方向具有45度至135度的夾角。
5.如權(quán)利要求1所述硅通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一方向不同于第二方向至少包括：第一方向和第二方向垂直、第一方向與第二方向具有45度至90度、或第一方向與第二方向具有90度至135度的夾角。
6.如權(quán)利要求1所述硅通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，位于所述硅通孔陣列中間位置的硅通孔密度大于位于所述硅通孔陣列邊緣位置的硅通孔密度。
7.如權(quán)利要求6所述硅通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅通孔陣列的邊角為圓弧化。
8.如權(quán)利要求1所述硅通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅通孔包括實(shí)用的硅通孔和偽硅通孔。
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