[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201210114943.8
• 申請日: 2009-03-11
• 公開（公告）號: CN102664179A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 水村章;安茂博章;大石哲也
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/088;H01L27/12;H01L21/84;H01L21/8234
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 武玉琴;陳桂香

1.一種半導體裝置，其包括單輸入柵極成對晶體管，所述半導體裝置包括由第一晶體管和第二晶體管形成的成對晶體管，所述第一晶體管和所述第二晶體管采用鰭式晶體管，

其中，由奇數編號的所述鰭式晶體管形成的所述第一晶體管的源極和由偶數編號的所述鰭式晶體管形成的所述第二晶體管的源極連接在一起，所述第一晶體管的柵極和所述第二晶體管的柵極也連接在一起；

各個所述鰭式晶體管具有從半導體基板上突出的鰭式活性層；

各個所述鰭式活性層具有設于所述鰭式活性層的表面區域中的源極區域和設于所述表面區域中與所述源極區域分離的位置處的漏極區域，從而形成溝道區域；

所述鰭式活性層以相同間距布置在一行，以使在所述鰭式活性層的所述源極區域和所述漏極區域之間的各個所述溝道區域中流過的電流彼此平行，所述鰭式活性層的尺寸相同或基本相同；

各個所述第一晶體管和所述第二晶體管由2m個所述鰭式活性層形成，并且所述成對晶體管整體由4m個所述鰭式活性層形成，其中m表示2以上的整數；

所述漏極區域和所述源極區域布置在形成所述第一晶體管的各個所述鰭式活性層中，以使流過第1至第(2m-1)個所述鰭式活性層的各個所述溝道區域的所述電流的方向與流過第(2m+1)至第(4m-1)個所述鰭式活性層的各個所述溝道區域的所述電流的方向相反；

所述漏極區域和所述源極區域布置在形成所述第二晶體管的各個所述鰭式活性層中，以使流過第2至第2m個所述鰭式活性層的各個所述溝道區域的所述電流的方向與流過第(2m+2)至第4m個所述鰭式活性層的各個所述溝道區域的所述電流的方向相反；

形成所述第一晶體管的所述鰭式活性層的所述漏極區域連接在一起；

形成所述第二晶體管的所述鰭式活性層的所述漏極區域連接在一起；并且

所述鰭式活性層的所述源極區域連接在一起。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

各個所述鰭式晶體管具有柵極電極，所述柵極電極隔著絕緣膜設置在所述源極區域與所述漏極區域之間的所述鰭式活性層上；

所述柵極電極連接在一起，以使其在配置所述鰭式活性層的方向上延伸。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其包括第一偽柵極電極和第二偽柵極電極，所述第一偽柵極電極和所述第二偽柵極電極與所述鰭式活性層電絕緣，且設置為用于維持所述柵極電極的形態，其中，

各個所述第一偽柵極電極和所述第二偽柵極電極布置為平行于所述柵極電極延伸的方向，從而將所述鰭式晶體管夾在中間。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其包括第一偽活性層和第二偽活性層，所述第一偽活性層和所述第二偽活性層與所述鰭式活性層電絕緣，且設置為用于維持所述鰭式活性層的形態，其中，

所述第一偽活性層布置為平行于布置在一端的所述鰭式活性層，并且當從配置所述鰭式活性層的方向上觀看時，相對于布置在所述一端的所述鰭式活性層，所述第一偽活性層布置在與所述鰭式活性層相反的方向，

所述第二偽活性層布置為平行于布置在另一端的所述鰭式活性層，并且當從配置所述鰭式活性層的方向上觀看時，相對于布置在所述另一端的所述鰭式活性層，所述第二偽活性層布置在與所述鰭式活性層相反的方向。