[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光顯示面板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210114878.9
• 申請(qǐng)日: 2012-04-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102969452A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李丞桓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂(lè)金顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/52;H01L21/77
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

本申請(qǐng)要求2011年8月29日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2011-0086753以及2012年2月17日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2012-0016418的優(yōu)先權(quán)，在此援引所述專利申請(qǐng)作為參考，如同在這里完全闡述一樣。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，尤其涉及一種可防止顯示面板劣化的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板及其制造方法。

背景技術(shù)

顯示各種信息的顯示器正朝著提供更薄、更輕、便攜和高性能的方向發(fā)展。由此，可降低重量和體積(陰極射線管(CRT)的缺點(diǎn))的有機(jī)電致發(fā)光顯示器等引起人們的注意。有機(jī)發(fā)光器件(OLED)，即在電極之間具有薄發(fā)光層的自發(fā)光器件，具有能將顯示器制作成紙張一樣薄的優(yōu)點(diǎn)。在OLED中，存在有源矩陣OLED(AMOLED)和無(wú)源矩陣OLED(PMOLED)。

在這種情況下，有源矩陣OLED(AMOLED)具有像素矩陣，每個(gè)像素都具有用于顯示圖像的R，G，B三色子像素。每個(gè)子像素都具有有機(jī)電致發(fā)光器件以及用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)電致發(fā)光器件的單元驅(qū)動(dòng)器。單元驅(qū)動(dòng)器具有用于供給掃描信號(hào)的柵極線、用于供給視頻數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線、用于供給公共電源信號(hào)的公共電源線、至少兩個(gè)薄膜晶體管、以及存儲(chǔ)電容器。

有機(jī)電致發(fā)光器件具有陽(yáng)極、陰極以及在陽(yáng)極與陰極之間的公共層。公共層包括空穴傳輸層HTL、空穴注入層HIL、發(fā)光層、電子注入層EIL以及電子傳輸層ETL。如圖1中所示，公共層依次堆疊在同一位置。

如果在包括公共層的基板上沉積陰極10，則陰極10在公共層的前表面B處具有平坦均勻的厚度，但是由于公共層的臺(tái)階覆蓋，陰極10在公共層的側(cè)表面A處具有非均勻的厚度。因而，盡管前表面B上沉積的陰極10具有均勻厚度，但因?yàn)閭?cè)面A上沉積的陰極10具有非均勻厚度，所以陰極10的電阻隨其位置而變化，發(fā)生顯示器的劣化。

發(fā)明內(nèi)容

提供了一種可防止顯示面板劣化的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板及其制造方法。為了獲得該優(yōu)點(diǎn)和其它優(yōu)點(diǎn)，根據(jù)本發(fā)明的目的，如這里具體表示和廣義描述的，一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板包括：形成在基板上的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管連接的第一電極、其中形成有用于暴露所述第一電極的堤岸孔的堤岸絕緣膜、具有堆疊在所述堤岸孔中的多個(gè)公共層的有機(jī)公共層、以及形成在所述有機(jī)公共層上的第二電極，其中所述多個(gè)有機(jī)公共層以交錯(cuò)方式形成，從而所述有機(jī)公共層的側(cè)邊緣一同形成階梯形。在一個(gè)實(shí)施方式中，使用遮蔽掩模形成所述多個(gè)有機(jī)公共層。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述多個(gè)有機(jī)公共層包括第一到第五公共層，其中所述第一公共層為空穴注入層(HIL)，所述第二公共層為空穴傳輸層(HTL)，所述第三公共層為紅色、綠色或藍(lán)色發(fā)光層(EML)，所述第四公共層為電子傳輸層(ETL)，所述第五公共層為電子注入層(EIL)。所述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板可進(jìn)一步包括形成在所述第一電極與所述有機(jī)公共層之間的緩沖膜。

所述有機(jī)公共層形成階梯形。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述有機(jī)公共層包含在子像素區(qū)域內(nèi)，從而每個(gè)子像素區(qū)域都具有以階梯形堆疊的有機(jī)公共層。在其他實(shí)施方式中，第一、第二、第四和第五公共層形成階梯形并延伸橫跨多個(gè)子像素區(qū)域。根據(jù)所述實(shí)施方式，所述第三公共層也可延伸橫跨多個(gè)子像素區(qū)域，或者可包含在子像素區(qū)域內(nèi)，從而每個(gè)子像素區(qū)域都具有其自己的第三公共層。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第一公共層堆疊在所述第一電極上。所述第二公共層的一個(gè)側(cè)邊緣位于距所述第一公共層的左側(cè)邊緣向左一定距離處，從而所述第二公共層在所述左側(cè)上包覆所述第一公共層。所述第三公共層位于距所述第一和第二公共層的右側(cè)邊緣向右一定距離處，從而所述第三公共層在第一和第二公共層的右側(cè)上包覆所述第一和第二公共層。所述第四公共層位于距所述第二和第三公共層的左側(cè)邊緣向左一定距離處，從而所述第四公共層在第二和第三公共層的左側(cè)上包覆所述第二和第三公共層。所述第五公共層位于距所述第三和第四公共層的右側(cè)邊緣向右一定距離處，從而所述第五公共層在第三和第四公共層的右側(cè)上包覆所述第三和第四公共層。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第二和第四公共層的所述左側(cè)邊緣從所述第一公共層的左邊緣向左延伸10～50μm。所述第三和第五公共層的所述右側(cè)邊緣從所述第一公共層的右邊緣向右延伸10～50μm。