[發(fā)明專利]一種形成雙應(yīng)力層氮化硅薄膜的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210114142.1
• 申請日: 2012-04-17
• 公開（公告）號: CN102623334A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐強
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/318
• 分類號: H01L21/318;H01L21/8238
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種形成雙應(yīng)力層氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括下列步驟：

提供具有N/PMOS晶體管的襯底；

在所述結(jié)構(gòu)上沉積氧化硅緩沖層；

在所述結(jié)構(gòu)上沉積具有高壓應(yīng)力的第一氮化硅應(yīng)力層；

對PMOS區(qū)域進行光刻以及蝕刻，去除該區(qū)域的第一氮化硅應(yīng)力層和氧化硅緩沖層；

在所述結(jié)構(gòu)上沉積具有高拉應(yīng)力的第二氮化硅應(yīng)力層；

對NMOS區(qū)域進行光刻以及蝕刻，去除該區(qū)域的第二氮化硅應(yīng)力層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成雙應(yīng)力層氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述沉積氧化硅緩沖層的厚度為50-300A。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成雙應(yīng)力層氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述沉積氧化硅緩沖層的應(yīng)力范圍在50-500MPa之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成雙應(yīng)力層氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述沉積第一氮化硅應(yīng)力層和第二氮化硅應(yīng)力層的厚度為100-800A。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成雙應(yīng)力層氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述沉積第一氮化硅應(yīng)力層和第二氮化硅應(yīng)力層的應(yīng)力范圍在500-4000MPa之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成雙應(yīng)力層氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述第一氮化硅應(yīng)力層包括不摻雜的氮化硅部分和摻雜一定雜質(zhì)元素的氮化硅部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成雙應(yīng)力層氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述摻雜一定雜質(zhì)元素的氮化硅部分厚度在10-100A之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成雙應(yīng)力層氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述雜質(zhì)元素為F、B、P元素。