[發明專利]半導體集成電路及其驅動方法

有效

• 申請號: 201210114045.2
• 申請日: 2012-04-18
• 公開（公告）號: CN102903389A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 金淵郁;劉正宅
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

1.一種半導體集成電路，包括：

命令發生單元，所述命令發生單元被配置成響應于第一命令而產生多個第二命令，每個第二命令用于指示相應的反熔絲電路的操作區段；以及

多個反熔絲電路，所述多個反熔絲電路每個都包括反熔絲，且被配置成接收相應的第二命令并且響應于所接收的相應的第二命令而執行所述反熔絲的斷裂操作。

2.如權利要求1所述的半導體集成電路，其中，所述第一命令與時鐘信號同步地觸發預定的時間。

3.如權利要求1所述的半導體集成電路，其中，所述第一命令的周期被設定成時鐘信號的周期的N倍，N為自然數。

4.如權利要求1所述的半導體集成電路，其中，所述多個第二命令通過將所述第一命令移位而順序地產生。

5.如權利要求1所述的半導體集成電路，其中，所述命令發生單元包括：

源信號發生單元，所述源信號發生單元被配置成響應于復位信號和所述第一命令而產生源信號；以及

順序命令輸出單元，所述順序命令輸出單元被配置成響應于所述復位信號而被復位，且被配置成響應于所述第一命令和所述源信號而順序地輸出所述多個第二命令。

6.如權利要求5所述的半導體集成電路，其中，所述源信號發生單元包括RS鎖存器。

7.如權利要求5所述的半導體集成電路，其中，所述順序命令輸出單元包括串聯耦接的多個D觸發器。

8.如權利要求7所述的半導體集成電路，其中，所述順序命令輸出單元還包括反相器，所述反相器被配置成將所述復位信號反相以將反相的復位信號輸出至所述D觸發器的復位信號輸入端子。

9.如權利要求1所述的半導體集成電路，其中，所述反熔絲電路每個都包括：

電壓供應單元，所述電壓供應單元被配置成響應于所述相應的第二命令而供應高電源電壓；以及

所述反熔絲，所述反熔絲耦接在所述電壓供應單元的輸出端子與低電源電壓的供應端子之間。

10.如權利要求9所述的半導體集成電路，其中，所述高供應電壓與低供應電壓包括產生于所述半導體集成電路內部的升壓電壓和反偏置電壓。

11.如權利要求1所述的半導體集成電路，其中，所述反熔絲電路每個都被配置成通過在相應的操作區段期間向所述反熔絲供應高電源電壓來對所述反熔絲進行編程。

12.一種用于驅動半導體集成電路的方法，所述方法包括以下步驟：

響應于復位信號和第一斷裂命令而產生斷裂源信號；

響應于所述第一斷裂命令和所述斷裂源信號而順序地產生多個第二斷裂命令，每個第二斷裂命令指示用于對相應的反熔絲編程的操作區段；以及

響應于所述第二斷裂命令中的每個而對相應的反熔絲進行編程。

13.如權利要求12所述的方法，其中，所述第一斷裂命令從所述復位信號的激活起觸發預定的時間。

14.如權利要求12所述的方法，其中，所述第一斷裂命令的周期被設定成時鐘信號的周期的N倍，N為自然數。

15.如權利要求12所述的方法，其中，產生所述多個第二斷裂命令的步驟包括以下步驟：

將所述斷裂源信號順序地移位所述第一斷裂命令的周期；以及

將所述移位的信號輸出作為所述第二斷裂命令。

16.如權利要求12所述的方法，其中，所述第二斷裂命令是響應于所述第一斷裂命令的觸發而被順序地激活的，且所述第二斷裂命令具有與所述第一斷裂命令的周期相對應的激活持續時間。

17.如權利要求12所述的方法，其中，對所述反熔絲編程的步驟包括在各個指示的操作區段期間向所述反熔絲供應高電源電壓。