[發明專利]光伏行業含氟廢水達標排放工藝及其專用系統

有效

• 申請號: 201210113791.X
• 申請日: 2012-04-17
• 公開（公告）號: CN103373776A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 潘文剛;肖龍博;夏俊方;尚榮;張水水
• 申請（專利權）人: 上海晶宇環境工程有限公司
• 主分類號: C02F9/04
• 分類號: C02F9/04
• 代理公司: 上海伯瑞杰知識產權代理有限公司 31227
• 代理人: 劉朵朵

技術領域

本發明屬于廢水處理技術領域，具體講就是涉及一種光伏行業含氟廢水達標排放工藝及其專用系統。

背景技術

利用光伏效應，使太陽光射到硅材料上產生電流直接發電，以硅材料的應用開發形成的產業鏈條稱之為“光伏產業”，包括高純多晶硅原材料生產、太陽能電池生產、太陽能電池組件生產、相關生產設備的制造等。在純多晶硅原材料生產會產生大量的含氟廢水，含氟廢水的高氧化性會對環境造成重大污染，直接排放對自然環境會產生極大的危害，不符合現今對工業生產節能減排的要求。

目前國內外常用的含氟廢水達標處理方法為化學沉淀法。化學沉淀法是通過往含氟廢水投加鈣鹽等化學藥品，形成氟化物沉淀或使氟化物被吸附于所形成的鈣鹽沉淀物中，從而促使氟化物與鈣鹽共同沉淀析出，該方法過程簡單、處理方便，費用低廉。但是鈣鹽溶解度低，只能以乳狀液形式投加，產生的沉淀包裹在顆粒表面，利用率較低，導致用量較大，并且目前這種化學沉淀法處理后的廢水中氟含量一般只能下降到15mg/L，很難達到國標一級排放標準。而且整個工藝還存在泥渣沉降緩慢，脫水困難，處理大流量排放物周期長，不能連續處理、連續排放等缺點。因而，傳統的光伏行業含氟廢水化學沉淀法處理工藝屬于一級除氟沉淀，出水水質不穩定，污泥量較大，占地面積大，處理成本很高，容易造成資源的浪費。

發明內容

本發明的目的是通過提供一種光伏行業含氟廢水達標排放工藝的專用系統，實現含氟廢水的達標排放，整個工藝過程步驟簡單，自動化程度較高，勞動強度較低，能有效的將光伏行業產生的含氟廢水進行達標排放處理，降低對環境的影響。

技術方案

為了實現上述技術難題，本發明設計一種光伏行業含氟廢水達標排放工藝，其特征在于，它包括以下幾個步驟：首先對含氟廢水進行酸堿度調節，使含氟廢水PH值6～9之間；接著對經過酸堿度調節的含氟廢水通過除氟進一步降低含氟量，使得氟離子含量控制在30～40mg/l；第三步對氟離子含量控制在30～40mg/l的含氟廢水加入PAM藥劑進行絮凝，PAM藥劑加藥量在5～10ppm之間；第四步對含絮凝體含氟廢水進行沉淀，使絮凝體沉淀物和廢水進行分離，得到污泥沉淀和經過初步處理的含氟廢水；第五步將得到的經過初步處理的含氟廢水通過除氟進一步降低含氟量使得氟離子含量控制在10mg/l以下；第六步對氟離子含量控制在10mg/l的含氟廢水加入PAC藥劑進行混凝，PAC藥劑加藥量在50～100mg/l之間；第七步對經過混凝的含氟廢水加入PAM藥劑進行絮凝，PAM藥劑加藥量在5～10mg/l之間；第八步將含絮凝體含氟廢水進行沉淀，使絮凝體沉淀物和廢水進行分離，得到污泥沉淀和最終達標排放廢水。

進一步，所述酸堿度調節劑為Ca(OH)₂。

進一步，所述第一步和第五步為CaCl₂。

按上述工藝設計的一種光伏行業含氟廢水達標排放工藝專用系統它包括調節池，調節池出水端接到酸堿反應池，調節池和酸堿反應池連接管路上裝有第一增壓泵，酸堿反應池出水端連接到第一除氟反應池進水端，第一除氟反應池出水端通到第一PAM池，第一PAM池出水端接到第一沉淀池，第一沉淀池出水端接到第二除氟反應池，第二除氟反應池出水端接到PAC池，PAC池出水端接到第二PAM池，第二PAM池出水端接到第二沉淀池。

進一步，所述第一沉淀池上安裝有第一排污增壓泵。

進一步，所述第二沉淀池上安裝有第二排污增壓泵。

有益效果

本發明提供的光伏行業含氟廢水達標排放工藝的專用系統，實現含氟廢水的達標排放，整個工藝過程步驟簡單，自動化程度較高，勞動強度較低，能有效的將光伏行業產生的含氟廢水進行達標排放處理，降低對環境的影響。

附圖說明

附圖1是本發明的工藝流程圖。

附圖2是本發明專用系統的連接關系示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例，對本發明做進一步說明。

如附圖1和2所示，一種光伏行業含氟廢水達標排放工藝專用系統，它包括調節池1，調節池1出水端接到酸堿反應池2，調節池1和酸堿反應池2連接管路上裝有第一增壓泵3，酸堿反應池2出水端連接到第一除氟反應池4進水端，第一除氟反應池4出水端通到第一PAM池5，第一PAM池5出水端接到第一沉淀池6，第一沉淀池6出水端接到第二除氟反應池7，第二除氟反應池7出水端接到PAC池8，PAC池8出水端接到第二PAM池9，第二PAM池9出水端接到第二沉淀池10。