[發(fā)明專利]一種基于硅基的LED芯片封裝方法及LED芯片發(fā)光器件

有效

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• 申請日: 2012-04-17
• 公開（公告）號: CN102623619A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李抒智;馬可軍
• 申請（專利權(quán)）人: 上海半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 上海三和萬國知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 31230
• 代理人: 蔡海淳

1.一種基于硅基的LED芯片封裝方法，其特征是在集成電路IC芯片封裝生產(chǎn)線上采用下列步驟對LED芯片進(jìn)行封裝：

A、利用硅片作承載體，在硅片上放置多個LED芯片；

B、采用“鍵合”方式將LED芯片直接固定在硅片上；

C、用加溫后呈液態(tài)的玻璃，掩埋/填平各個LED芯片之間的間隙，在硅片表面及各個LED芯片之間形成絕緣層；

D、待玻璃固化后，對硅片置有LED芯片的一面進(jìn)行拋光，至LED芯片露出為止；

E、采用“鍍膜”法在固化后的玻璃以及LED芯片的表面制備所需要的連接電極；

F、對硅片進(jìn)行切割，得到載有單個LED芯片或集成有多個LED芯片，且經(jīng)連接電極構(gòu)成引出線的LED發(fā)光器件或LED發(fā)光器件模塊產(chǎn)品。

2.按照權(quán)利要求1所述的基于硅基的LED芯片封裝方法，其特征是所述的玻璃為磷硅基玻璃或硼磷硅基玻璃。

3.按照權(quán)利要求1所述的基于硅基的LED芯片封裝方法，其特征是所述的拋光為機械拋光或化學(xué)拋光。

4.按照權(quán)利要求1所述的基于硅基的LED芯片封裝方法，其特征是所述的硅片為單面拋光晶圓硅片或多晶硅片。

5.按照權(quán)利要求1所述的基于硅基的LED芯片封裝方法，其特征是所述的切割，按照單個LED芯片的P-N結(jié)電路連接關(guān)系來進(jìn)行；或者，按照多個LED芯片各個P-N結(jié)之間的電路連接關(guān)系來進(jìn)行。

6.按照權(quán)利要求1所述的基于硅基的LED芯片封裝方法，其特征是所述的“鍵合”方式為現(xiàn)有集成電路IC芯片制造/封裝技術(shù)中的“鍵合”方法。

7.按照權(quán)利要求1所述的基于硅基的LED芯片封裝方法，其特征是所述的封裝方法采用現(xiàn)有的集成電路IC芯片封裝生產(chǎn)線來實現(xiàn)整個LED芯片封裝過程。

8.按照權(quán)利要求1所述的基于硅基的LED芯片封裝方法，其特征是所述的封裝方法采用集成電路IC芯片的平面封裝工藝來對LED芯片進(jìn)行封裝，得到LED發(fā)光器件或LED發(fā)光器件模塊。

9.按照權(quán)利要求1所述的基于硅基的LED芯片封裝方法，其特征是所述的封裝方法將LED發(fā)光器件或LED發(fā)光器件組的結(jié)構(gòu)臺面化，以達(dá)到提高生產(chǎn)效率/產(chǎn)量，降低制造成本、提高工作可靠性、改善熱傳導(dǎo)效果和提高出光效率的目的。

10.一種按照權(quán)利要求1所述方法進(jìn)行封裝的基于硅基的LED芯片發(fā)光器件，包括單顆或多顆LED芯片，其特征是：

設(shè)置一用于承載LED芯片的硅片；

所述的硅片與LED芯片之間通過“鍵合”固接為一體；

在LED芯片周圍或各個LED芯片之間，設(shè)置一層玻璃絕緣層；

在玻璃絕緣層和LED芯片的表面，設(shè)置有層狀或膜狀連接電極；

所述的硅片、LED芯片、玻璃絕緣層及連接電極，構(gòu)成LED發(fā)光器件或LED發(fā)光器件模塊；

其所述的玻璃絕緣層為磷硅基玻璃或硼磷硅基玻璃絕緣層。

11.按照權(quán)利要求10所述的基于硅基的LED芯片發(fā)光器件，其特征是所述位于硅片上的LED芯片至少為一個。

12.按照權(quán)利要求10所述的基于硅基的LED芯片發(fā)光器件，其特征是所述的LED芯片經(jīng)層狀或膜狀連接電極，與外部電路或電源相連接。