[發(fā)明專利]防止銅擴散的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210113569.X
• 申請日: 2012-04-17
• 公開（公告）號: CN103377988A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設計）人: 周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/321
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種防止銅擴散的方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有介質層、以及位于所述介質層內且表面暴露出來的銅互連線；

通過惰性氣體等離子體對所述銅互連線表面進行轟擊。

2.如權利要求1所述的防止銅擴散的方法，其特征在于，在通過惰性氣體等離子體對所述銅互連線表面進行轟擊前，還包括：通過氫氣等離子體對所述銅互連線表面進行轟擊。

3.如權利要求2所述的防止銅擴散的方法，其特征在于，通過氫氣等離子體對所述銅互連線表面進行轟擊時，氫氣的流量在100～2000sccm范圍內，壓強在1～7torr范圍內，功率在100～15000w范圍內，時間在1～20s范圍內。

4.如權利要求1～3任一項所述的防止銅擴散的方法，其特征在于，所述惰性氣體為氦氣，通過氦氣等離子體對所述銅互連線表面進行轟擊時，氦氣的流量在100～2000sccm范圍內，壓強在1～7torr范圍內，功率在100～15000W范圍內，時間在1～20s范圍內。

5.如權利要求1～3任一項所述的防止銅擴散的方法，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣，通過氬氣等離子體對所述銅互連線表面進行轟擊時，氬氣的流量在100～2000sccm范圍內，壓強在1～7torr范圍內，功率在100～15000W范圍內，時間在1～20s范圍內。

6.如權利要求1～3任一項所述的防止銅擴散的方法，其特征在于，通過惰性氣體等離子體對所述銅互連線表面進行轟擊包括：先通過氦氣等離子體對所述銅互連線表面進行轟擊，再通過氬氣等離子體對所述銅互連線表面進行轟擊。

7.如權利要求6所述的防止銅擴散的方法，其特征在于，通過氦氣等離子體對所述銅互連線表面進行轟擊時，氦氣的流量在100～1000sccm范圍內，壓強在1～7torr范圍內，功率在500～1500W范圍內，時間在10～20s范圍內；通過氬氣等離子體對所述銅互連線表面進行轟擊時，氬氣的流量在100～1000sccm范圍內，壓強在1～7torr范圍內，功率在500～1500W范圍內，時間在10～20s范圍內。

8.如權利要求1所述的防止銅擴散的方法，其特征在于，在通過惰性氣體等離子體對所述銅互連線表面進行轟擊后，還包括：形成覆蓋所述介質層和銅互連線表面的阻擋層。

9.如權利要求8所述的防止銅擴散的方法，其特征在于，所述阻擋層的材質為摻氮碳化硅。

10.如權利要求8所述的防止銅擴散的方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度在150～500埃范圍內。