[發(fā)明專利]晶片清洗裝置及清洗方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210113556.2
• 申請日: 2012-04-17
• 公開（公告）號: CN102641869A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉偉;吳儀;張豹;蔡家駿;初國超
• 申請（專利權(quán)）人: 北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司
• 主分類號: B08B3/12
• 分類號: B08B3/12;B06B1/06;H01L21/00
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種晶片清洗裝置，其特征在于，所述裝置包括：用于承載晶片的晶片承載單元、設(shè)置于所述晶片承載單元上方的晶片正面兆聲波清洗噴頭、設(shè)置于所述晶片承載單元內(nèi)的晶片背面兆聲波清洗單元、旋轉(zhuǎn)軸、中空管、噴淋臂、噴淋臂電機、以及晶片旋轉(zhuǎn)電機，所述晶片正面兆聲波清洗噴頭上設(shè)有液體進入口、且下側(cè)設(shè)有與所述液體進入口連通的液體噴出口，所述噴淋臂與所述晶片正面兆聲波清洗噴頭連接，所述噴淋臂與所述噴淋臂電機的轉(zhuǎn)子連接，所述晶片旋轉(zhuǎn)電機的轉(zhuǎn)子與所述旋轉(zhuǎn)軸連接，所述旋轉(zhuǎn)軸與所述晶片承載單元的中心連接，所述旋轉(zhuǎn)軸的軸心設(shè)有中空管，所述中空管內(nèi)設(shè)有背面供液管，所述晶片背面兆聲波清洗單元固定于所述中空管上。

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：控制單元，所述噴淋臂電機與所述晶片旋轉(zhuǎn)電機分別與所述控制單元連接。

3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述晶片正面兆聲波清洗噴頭包括：第一外殼、第一換能器、以及第一諧振器，所述第一諧振器設(shè)于所述第一換能器與所述晶片承載單元之間，所述第一換能器和第一諧振器均設(shè)于所述第一外殼內(nèi)。

4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述第一換能器設(shè)于第一腔室內(nèi)，所述第一腔室設(shè)于所述第一外殼內(nèi)，所述第一腔室上相對的兩端分別設(shè)有氣冷流體入口和氣冷流體出口。

5.如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述第一換能器和所述第一諧振器之間設(shè)有耦合層，所述耦合層與所述第一換能器緊密連接。

6.如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述第一諧振器上設(shè)有孔陣列，所述孔陣列中的孔軸線豎直，所述孔陣列為所述液體噴出口。

7.如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述晶片承載單元為圓盤狀的卡盤，所述卡盤上設(shè)置有至少三個沿徑向分布的輻條狀卡爪，用于支撐晶片，所述晶片背面兆聲波清洗單元包括：第二外殼、以及第二換能器，所述第二換能器由一個或多個壓電晶體振子組成、且設(shè)于所述第二外殼內(nèi)，所述第二換能器的形狀為長方形或三角形、且能覆蓋所述晶片的半徑。

8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述第二換能器設(shè)于第二腔室內(nèi)，所述第二腔室設(shè)于所述第二外殼內(nèi)，所述第二腔室底側(cè)分別設(shè)有氣冷流體入口和氣冷流體出口。

9.如權(quán)利要求1～8中任一項所述的裝置，其特征在于，所述晶片正面兆聲波清洗噴頭和晶片背面兆聲波清洗單元采用不同的兆聲波頻率。

10.一種基于權(quán)利要求1～9中任一項所述的裝置的清洗方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

S1：將晶片放置于晶片承載單元上；

S2：旋轉(zhuǎn)電機通過旋轉(zhuǎn)軸帶動所述晶片承載單元旋轉(zhuǎn)，正面兆聲波清洗噴頭向晶片上表面噴出清洗液，噴淋臂電機通過噴淋臂帶動所述正面兆聲波清洗噴頭旋轉(zhuǎn)，背面供液管向所述晶片下表面噴出清洗液，晶片背面兆聲波清洗單元開始工作；

S3：所述正面兆聲波清洗噴頭產(chǎn)生第一預設(shè)頻率的兆聲波，背面兆聲波清洗單元產(chǎn)生第二預設(shè)頻率的兆聲波，所述第一預設(shè)頻率的兆聲波和第二預設(shè)頻率的兆聲波合成所形成的相移和畸變在所述晶片上表面和下表面的清洗液內(nèi)形成均勻的聲場，以實現(xiàn)對晶片的均勻清洗，同時減小和消除了由兆聲波產(chǎn)生的劇烈氣蝕對晶片特征尺寸結(jié)構(gòu)的破壞。