[發明專利]發光二極管裝置

無效

• 申請號: 201210113480.3
• 申請日: 2012-04-17
• 公開（公告）號: CN103296047A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 謝炎璋;施雅萱
• 申請（專利權）人: 華夏光股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/06
• 代理公司: 北京泛誠知識產權代理有限公司 11298
• 代理人: 陳波;文琦

1.一種發光二極管裝置，包含：

至少一個發光二極管單元，該發光二極管單元包含至少一個發光二極管，該發光二極管包含：

一n側氮化物半導體層；

一p側氮化物半導體層；及

一主動層，該主動層位于所述n側氮化物半導體層與所述p側氮化物半導體層之間；

其中，所述主動層具有一個或多個井層，該一個或多個井層中的至少一個所述井層為多層結構。

2.如權利要求1所述的發光二極管裝置，其中，所述多層結構包含至少一個第一子井層及至少一個第二子井層，該第一子井層與該第二子井層交替堆棧組成所述多層結構，且所述多層結構為一超晶格結構。

3.如權利要求2所述的發光二極管裝置，其中，所述n側氮化物半導體層包含n型氮化鎵(GaN)，所述p側氮化物半導體層包含p型氮化鎵，所述第一子井層與所述第二子井層各包含氮化銦鎵(InGaN)。

4.如權利要求3所述的發光二極管裝置，其中，所述第一子井層的銦濃度不同于所述第二子井層的銦濃度。

5.如權利要求2所述的發光二極管裝置，其中，所述第一子井層的能隙不同于所述第二子井層的能隙。

6.如權利要求2所述的發光二極管裝置，還包含一基板，所述發光二極管單元設置于該基板上。

7.如權利要求6所述的發光二極管裝置，其中，所述基板為極性基板，所述第一子井層與所述第二子井層的厚度各小于或等于2納米。

8.如權利要求6所述的發光二極管裝置，其中，所述基板為半極性基板或非極性基板，所述第一子井層與所述第二子井層的厚度各小于或等于10納米。

9.如權利要求2所述的發光二極管裝置，還包含：

一第一中間層，該第一中間層位于所述n側氮化物半導體層與所述主動層之間；與

一第二中間層，該第二中間層位于所述主動層與所述p側氮化物半導體之間；

其中，所述第一中間層與第二中間層的成分不同。

10.如權利要求9所述的發光二極管裝置，其中，所述第一中間層包含氮化鋁鎵子層及氮化銦鎵子層，其中，所述氮化銦鎵子層接觸所述主動層。

11.如權利要求9所述的發光二極管裝置，其中，所述第二中間層包含氮化銦鎵子層及氮化鎵子層，其中，所述氮化鎵子層接觸所述主動層。

12.如權利要求1所述的發光二極管裝置，其中，所述至少一個發光二極管單元包含多個所述發光二極管單元，以數組型式排列，且每一個所述發光二極管單元包含一第一電極及一第二電極，其中，相鄰的發光二極管單元的第一電極及第二電極電性連結，因而形成一串聯和/或并聯序列。

13.如權利要求1所述的發光二極管裝置，其中，所述發光二極管單元包含一第一發光二極管及一第二發光二極管，藉由一穿隧接面將所述第一發光二極管與所述第二發光二極管迭加在一起；

其中，所述第一發光二極管包含n側氮化物半導體層、主動層與p側氮化物半導體層，所述第二發光二極管包含n側氮化物半導體層、主動層與p側氮化物半導體層，其中，所述第二發光二極管的n側氮化物半導體層藉由所述穿隧接面而垂直迭加于所述第一發光二極管的p側氮化物半導體層。

14.如權利要求13所述的發光二極管裝置，還包含：

一第一電極，所述n側氮化物半導體層包含n型氮化鎵層，所述第一電極電性連接所述n型氮化鎵層；及

一第二電極，所述p側氮化物半導體層包含p型氮化鎵層，所述第二電極電性連接所述p型氮化鎵層。

15.如權利要求14所述的發光二極管裝置，其中，所述至少一個發光二極管單元包含多個所述發光二極管單元，以數組型式排列，其中，相鄰的發光二極管單元可藉由其第一電極或第二電極彼此電性連結，因而形成一串聯和/或并聯序列。