[發(fā)明專利]多位存儲元件、存儲裝置及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210113464.4 | 申請日： | 2012-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN102832337A | 公開（公告）日： | 2012-12-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李昌范;金昌楨;金英培;李明宰;李東洙;張晚;李承烈;金京旻 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 韓明星 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲 元件 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種存儲元件，所述存儲元件包括：
第一電極；
第二電極，與第一電極分隔開；
存儲層，位于第一電極和第二電極之間；
輔助層，位于存儲層與第一電極和第二電極中的一個電極之間，輔助層為存儲層提供多位存儲特性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲元件，其中，存儲層包括第一材料層和第二材料層，
存儲層因第一材料層和第二材料層之間的離子物種的移動而具有電阻變化特性。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲元件，其中，第一材料層為供氧層，第二材料層為氧交換層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲元件，其中，第一材料層包括第一金屬氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲元件，其中，第一金屬氧化物包括鉭氧化物、鋯氧化物、氧化釔穩(wěn)定氧化鋯、鈦氧化物、鉿氧化物、錳氧化物、鎂氧化物和它們的混合物中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲元件，其中，第一金屬氧化物包括TaOx，這里，0＜x＜2.5。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲元件，其中，第二材料層包括第二金屬氧化物，所述第二金屬氧化物與第一金屬氧化物同族或不同族。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲元件，其中，第二金屬氧化物包括鉭氧化物、鋯氧化物、氧化釔穩(wěn)定氧化鋯、鈦氧化物、鉿氧化物、錳氧化物、鎂氧化物和它們的混合物中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲元件，其中，第二材料層具有比第一材料層的氧濃度高的氧濃度。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲元件，其中，第一材料層位于第一電極和第二電極之間，
第二材料層位于第一材料層和第二電極之間，
輔助層位于第二材料層和第二電極之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲元件，其中，輔助層包括氧化物。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲元件，其中，輔助層為氧化硅層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲元件，其中，輔助層具有小于或等于10nm的厚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲元件，其中，用鎢摻雜輔助層。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲元件，其中，用鎢摻雜存儲層的至少一部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲元件，所述存儲元件還包括位于第一電極和存儲層之間的緩沖層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲元件，其中，緩沖層包括使第一電極和存儲層之間的勢壘增加的材料。
18.一種存儲裝置，所述存儲裝置包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲元件。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的存儲裝置，所述存儲裝置還包括連接到存儲元件的開關(guān)元件。
20.一種存儲裝置，所述存儲裝置包括：
多條第一導(dǎo)線，彼此平行；
多條第二導(dǎo)線，彼此平行并與所述多條第一導(dǎo)線交叉以形成多個第一交叉點(diǎn)；以及
多個存儲單元，每個存儲單元位于第一交叉點(diǎn)中的一個處，
每個存儲單元包括存儲層和輔助電阻層，存儲層位于第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線之間，存儲層具有多位特性，輔助電阻層位于存儲層與第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線中的一條導(dǎo)線之間。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的存儲裝置，其中，每個存儲單元還包括：
開關(guān)元件，位于存儲層和第二導(dǎo)線之間；
中間電極，位于存儲層和開關(guān)元件之間。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的存儲裝置，其中，輔助電阻層位于存儲層和中間電極之間。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的存儲裝置，其中，存儲層包括第一材料層和第二材料層，
存儲層因第一材料層和第二材料層之間的離子物種的移動而具有電阻變化特性。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的存儲裝置，其中，第一材料層為供氧層，第二材料層為氧交換層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星電子株式會社，未經(jīng)三星電子株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210113464.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
