[發(fā)明專利]一種P+、N+型雜質(zhì)雙擴(kuò)散制造硅二極管的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210113286.5 | 申請日： | 2012-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN102646586A | 公開（公告）日： | 2012-08-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳福元;毛建軍;胡煜濤;朱志遠(yuǎn);王錚;任亮;蘇云清 | 申請（專利權(quán)）人： | 杭州杭鑫電子工業(yè)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/329 | 分類號： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人： | 張法高 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 雜質(zhì) 擴(kuò)散 制造 二極管 方法 | ||
1.一種P+、N+型雜質(zhì)雙擴(kuò)散制造硅二極管的方法，其特征在于包括如下步驟：
1）先采用1號化學(xué)電子清洗液清洗，1號化學(xué)電子清洗液的組成為NH4OH：H2O2：H2O=1:2：5，然后采用2號化學(xué)電子清洗液清洗，2號化學(xué)電子清洗液的組成為HCL：H2O2：H2O=1：2：8，清洗溫度均為80～85℃，清洗時間均為10～20分鐘，再采用純水沖洗2～3次，純水電阻率≥15兆歐姆厘米，每次沖水時間≥30分鐘，硅片清洗后甩干；
2）在均勻摻雜的N型硅單晶片的表面上高溫擴(kuò)散入N+型半導(dǎo)體雜質(zhì)，得到N+/N型擴(kuò)散片；所擴(kuò)散的N+型半導(dǎo)體雜質(zhì)源為磷紙，擴(kuò)散溫度為1150℃～1250℃，擴(kuò)散時間為2～4H；再在N+/N型擴(kuò)散片的表面上高溫擴(kuò)散入P+型半導(dǎo)體雜質(zhì)，得到P+/?N+/N型擴(kuò)散片；所擴(kuò)散的P+型半導(dǎo)體雜質(zhì)源為硼紙，擴(kuò)散溫度為1260℃～1280℃，擴(kuò)散時間為1～3H：
3)研磨P+/?N+/N型擴(kuò)散片的上下表面，并在上下表面鍍上鎳層；
4)將上下表面鍍有鎳層的P+/?N+/N型擴(kuò)散片鋸切成二極管芯片；
5)將二極管芯片的上下表面與封裝底座焊接，酸洗、上膠鈍化、壓模，制成硅二極管。
2.根據(jù)權(quán)利要求書所述的一種P+、N+型雜質(zhì)雙擴(kuò)散制造硅二極管的方法，其特征在于所述的N型硅單晶片的電阻率為0.01～1.0Ω·Cm，硅單晶片厚度為200μm?～300μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
