[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210113231.4
• 申請日: 2012-04-17
• 公開（公告）號: CN103378219A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郝茂盛;楊杰;張楠;王辰夷;藺華妮
• 申請（專利權(quán)）人: 上海藍(lán)光科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

1)提供一藍(lán)寶石襯底，按預(yù)設(shè)路徑對所述藍(lán)寶石襯底進(jìn)行激光內(nèi)切處理，以在所述藍(lán)寶石襯底內(nèi)部形成內(nèi)切圖案；

2)在具有內(nèi)切圖案的藍(lán)寶石襯底上表面依次形成N-GaN層、量子阱層、及P-GaN層及透明導(dǎo)電層；

3)依據(jù)所述內(nèi)切圖案定義出多個發(fā)光二極管陣列，并于各該陣列上制備P電極及N電極；

4)從所述藍(lán)寶石襯底下表面對所述藍(lán)寶石襯底進(jìn)行減薄，直至露出所述藍(lán)寶石襯底內(nèi)部的內(nèi)切圖案；

5)依據(jù)所述內(nèi)切圖案進(jìn)行裂片，以完成所述發(fā)光二極管的制造。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述激光內(nèi)切處理為通過控制激光的波段、頻率、功率向所述藍(lán)寶石襯底發(fā)射激光脈沖，以使所述藍(lán)寶石襯底的內(nèi)部結(jié)構(gòu)產(chǎn)生應(yīng)變或松弛，并保持其表面的平整。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述步驟1)中采用皮秒激光器對所述藍(lán)寶石襯底進(jìn)行激光內(nèi)切處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述激光內(nèi)切處理采用的激光波段為1064nm，激光頻率為50～100KHz，激光功率為0.5～10W。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任意一項所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述內(nèi)切圖案的平面形狀為矩形、正方形或三角形。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～4任意一項所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述內(nèi)切圖案的中心平面離所述藍(lán)寶石襯底上表面的距離為10～400um。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～4任意一項所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述內(nèi)切圖案的厚度為3～12um。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～4任意一項所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述內(nèi)切圖案由多個結(jié)構(gòu)松弛的微型腔體間隔排列而成，且相鄰兩微型腔體的中心距離為1～20um。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～4任意一項所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述步驟3)中，先刻蝕各該發(fā)光二極管陣列以獲得欲制備N電極的N-GaN平臺，然后于所述N-GaN平臺制備N電極，并于所述透明導(dǎo)電層上制備P電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～4任意一項所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述步驟5)中，沿所述藍(lán)寶石襯底露出的內(nèi)切圖案對所述藍(lán)寶石襯底及陣列進(jìn)行剝離，以獲得多個與所述內(nèi)切圖案形狀一致的發(fā)光二極管芯片。