[發明專利]一種發光二極管的制造方法

有效

• 申請號: 201210113231.4
• 申請日: 2012-04-17
• 公開（公告）號: CN103378219A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 郝茂盛;楊杰;張楠;王辰夷;藺華妮
• 申請（專利權）人: 上海藍光科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種發光二極管的制造方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

1)提供一藍寶石襯底，按預設路徑對所述藍寶石襯底進行激光內切處理，以在所述藍寶石襯底內部形成內切圖案；

2)在具有內切圖案的藍寶石襯底上表面依次形成N-GaN層、量子阱層、及P-GaN層及透明導電層；

3)依據所述內切圖案定義出多個發光二極管陣列，并于各該陣列上制備P電極及N電極；

4)從所述藍寶石襯底下表面對所述藍寶石襯底進行減薄，直至露出所述藍寶石襯底內部的內切圖案；

5)依據所述內切圖案進行裂片，以完成所述發光二極管的制造。

2.根據權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述激光內切處理為通過控制激光的波段、頻率、功率向所述藍寶石襯底發射激光脈沖，以使所述藍寶石襯底的內部結構產生應變或松弛，并保持其表面的平整。

3.根據權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述步驟1)中采用皮秒激光器對所述藍寶石襯底進行激光內切處理。

4.根據權利要求3所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述激光內切處理采用的激光波段為1064nm，激光頻率為50～100KHz，激光功率為0.5～10W。

5.根據權利要求1～4任意一項所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述內切圖案的平面形狀為矩形、正方形或三角形。

6.根據權利要求1～4任意一項所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述內切圖案的中心平面離所述藍寶石襯底上表面的距離為10～400um。

7.根據權利要求1～4任意一項所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述內切圖案的厚度為3～12um。

8.根據權利要求1～4任意一項所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述內切圖案由多個結構松弛的微型腔體間隔排列而成，且相鄰兩微型腔體的中心距離為1～20um。

9.根據權利要求1～4任意一項所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述步驟3)中，先刻蝕各該發光二極管陣列以獲得欲制備N電極的N-GaN平臺，然后于所述N-GaN平臺制備N電極，并于所述透明導電層上制備P電極。

10.根據權利要求1～4任意一項所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述步驟5)中，沿所述藍寶石襯底露出的內切圖案對所述藍寶石襯底及陣列進行剝離，以獲得多個與所述內切圖案形狀一致的發光二極管芯片。