[發(fā)明專利]一種二氧化硅圖形加工的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210113193.2
• 申請(qǐng)日: 2012-04-17
• 公開（公告）號(hào): CN102646575A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李佩朔;趙華波;魏子鈞;任黎明;傅云義;黃如;張興
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 北京萬象新悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11360
• 代理人: 賈曉玲

1.一種二氧化硅圖形加工的方法，包括如下步驟：

1)在SiO₂襯底上直接生長石墨烯或?qū)⑹钠渌r底上轉(zhuǎn)移至SiO₂襯底表面；

2)按所需形狀，將石墨烯薄膜圖形化；

3)在上述石墨烯層上沉積一層二氧化硅薄膜；

4)用腐蝕溶液刻蝕掉上述二氧化硅薄膜后，石墨烯的圖形轉(zhuǎn)移到二氧化硅襯底上。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅襯底為表面有熱氧化層的單晶硅片、石英、玻璃或沉積有二氧化硅薄層的PET塑料、PDMS等柔軟基底。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述石墨烯為單層、雙層或多層。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成圖形化石墨烯層的方法為機(jī)械解理或從CVD制備石墨烯所用襯底上轉(zhuǎn)移。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在石墨烯上沉積二氧化硅薄膜用磁控濺射法和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，二氧化硅薄膜的厚度范圍為20nm-100nm。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，刻蝕二氧化硅薄膜的腐蝕溶液為氫氟酸溶液，氫氟酸溶液的水和氫氟酸的體積比在10∶1-3∶1范圍。