[發明專利]一種近紫外光激發白光LED用ZnO基熒光粉材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201210112947.2
• 申請日: 2012-04-17
• 公開（公告）號: CN102660264A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 譚永勝;方澤波
• 申請（專利權）人: 紹興文理學院
• 主分類號: C09K11/62
• 分類號: C09K11/62
• 代理公司: 紹興市越興專利事務所 33220
• 代理人: 蔣衛東

1.一種近紫外光激發白光LED用ZnO基熒光粉材料，其特征在于：以高純ZnO、Eu₂O₃及Ga₂O₃粉末為原料，其原料的質量比為：0.001≤Ga₂O₃/ZnO≤0.058;?0.002≤Eu₂O₃/ZnO≤0.216，形成以鎵（Ga）和銪（Eu）摻雜ZnO的熒光粉材料，其分子式為Zn_1-x-yGa_xEu_yO，其中Ga及Eu的摻雜含量范圍分別為：0.001≤x≤0.05,?0.001≤y≤0.1。

2.如權利要求1所述的一種近紫外光激發白光LED用ZnO基熒光粉材料，其特征在于：所述的ZnO、Eu₂O₃及Ga₂O₃粉末原料的質量比優選為：Ga₂O₃/ZnO=0.023；Eu₂O₃/ZnO=0.108，其中Ga及Eu的摻雜含量范圍分別為：x=0.02,?y=0.05。

3.一種如權利要求1所述的近紫外光激發白光LED用ZnO基熒光粉材料的制備方法，其特征在于包括如下步驟：稱取上述高純ZnO、Eu₂O₃及Ga₂O₃粉末為原料，采用高溫固相反應法，即將原料均勻混合研磨后放入高溫反應爐中，通入還原氣體，以6?℃/分鐘的升溫速度緩慢加熱到1100℃，然后高溫反應3小時；反應完畢后在還原氣氛保護下自然降溫，待樣品冷卻后，取出研磨得到相應的微米級熒光粉產品。

4.如權利要求3所述的一種近紫外光激發白光LED用ZnO基熒光粉材料的制備方法，其特征在于：所述的還原氣體為含5?%H₂的N₂/?H₂混合氣體。