[發明專利]功率半導體器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201210112936.4
• 申請日: 2012-04-16
• 公開（公告）號: CN102738238A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 金鎮明;吳世雄;李在吉;崔嶸澈;張浩鐵
• 申請（專利權）人: 快捷韓國半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種功率半導體器件，包括：

第一導電型的漏區；

第一導電型的漂移區，所述漂移區形成在所述漏區上；

第二導電型的第一基體區，所述第一基體區形成在所述漂移區的上表面下方；

第二導電型的第二基體區，所述第二基體區形成在所述漂移區的上表面下方且在所述第一基體區內，且形成為具有比所述第一基體區的深度淺的深度；

第二導電型的第三基體區，所述第三基體區通過從所述第一基體區的下端向下突出形成；

第一導電型的源區，所述源區形成在所述漂移區的上表面下方且在所述第一基體區內，且形成為具有比所述第二基體區的深度淺的深度；

柵絕緣層，所述柵絕緣層形成在所述第一基體區的溝道區域上和在所述第一基體區之間的漂移區上；

柵極，所述柵極形成在所述柵絕緣層上；

源極，所述源極與所述源區電連接；以及

漏極，所述漏極與所述漏區電連接。

2.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中，所述功率半導體器件為金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET。

3.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中，所述第一導電型為n型且所述第二導電型為p型。

4.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中，所述第一導電型為p型且所述第二導電型為n型。

5.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中，所述第一基體區包括至少一個條帶型區域，且還包括與所述第一基體區的兩個端面連接的框架區域。

6.如權利要求5所述的功率半導體器件，其中，所述柵絕緣層以與所述第一基體區相同的方向形成條帶型。

7.如權利要求5所述的功率半導體器件，其中，所述第一基體區的邊緣區域具有大于100μm的曲率半徑。

8.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中，所述第一基體區包括多邊形的晶胞。

9.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中，所述漏區具有高于所述漂移區的摻雜濃度的第一導電型的摻雜濃度。

10.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中，所述源區具有高于所述漂移區的摻雜濃度的第一導電型的摻雜濃度。

11.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中，與所述第一基體區之間的柵極疊置的漂移區的寬度具有使從所述第一基體區延伸形成的耗盡區形成平面結結構的尺寸。

12.如權利要求1所述的功率半導體器件，還包括形成在所述第一基體區之間的漂移區的上表面下方的附加漂移區，其中，所述附加漂移區具有高于所述漂移區的摻雜濃度的第一導電型的摻雜濃度。

13.如權利要求12所述的功率半導體器件，其中，所述附加漂移區具有比所述第一基體區的深度淺的深度。

14.如權利要求1所述的功率半導體器件，還包括形成在所述漂移區的上表面下方、圍繞所述第一基體區和所述第三基體區的第一導電型的附加漂移區，其中，所述附加漂移區具有高于所述漂移區的摻雜濃度的第一導電型的摻雜濃度。

15.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中，所述第三基體區設置在彼此相鄰的柵極之間。

16.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中，所述第三基體區具有比所述第一基體區的深度深的深度。

17.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中，所述源區形成在其與所述柵極的一部分和所述源極的一部分疊置的位置上。

18.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中，所述第一基體區形成在其與所述柵極的一部分和所述源極疊置的位置上。

19.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中，所述第一基體區具有低于所述第二基體區的摻雜濃度的第二導電型的摻雜濃度，且所述第三基體區具有低于所述第二基體區的摻雜濃度的第二導電型的摻雜濃度。

20.如權利要求19所述的功率半導體器件，其中，所述第一基體區和所述第三基體區具有相同的第二導電型的摻雜濃度。

21.如權利要求19所述的功率半導體器件，其中，所述第一基體區具有高于所述第三基體區的摻雜濃度的第二導電型的摻雜濃度。