[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210112293.3 | 申請(qǐng)日: | 2012-04-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103378250A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郝茂盛;王辰夷;楊杰;張楠;藺華妮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海藍(lán)光科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/22 | 分類號(hào): | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 發(fā)光二極管 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管的制造方法,其特征在于,至少包括以下步驟:
1)提供一圖形藍(lán)寶石襯底,于所述圖形藍(lán)寶石襯底上形成保護(hù)層,以平坦化所述圖形藍(lán)寶石襯底;
2)按預(yù)設(shè)路徑對(duì)所述圖形藍(lán)寶石襯底進(jìn)行激光內(nèi)切處理,以在所述圖形藍(lán)寶石襯底內(nèi)部形成內(nèi)切圖案,然后去除所述保護(hù)層;
3)在具有內(nèi)切圖案的圖形藍(lán)寶石襯底上表面依次形成N-GaN層、量子阱層、及P-GaN層及透明導(dǎo)電層;
4)依據(jù)所述內(nèi)切圖案定義出多個(gè)發(fā)光二極管陣列,并于各該陣列上制備P電極及N電極;
5)從所述圖形藍(lán)寶石襯底下表面對(duì)所述圖形藍(lán)寶石襯底進(jìn)行減薄,直至露出所述圖形藍(lán)寶石襯底內(nèi)部的內(nèi)切圖案;
6)依據(jù)所述內(nèi)切圖案進(jìn)行裂片,以完成所述發(fā)光二極管的制造。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法,其特征在于:所述保護(hù)層為用于降低所述圖形藍(lán)寶石襯底對(duì)激光的漫反射作用的保護(hù)膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法,其特征在于:所述保護(hù)膠由體積比為1∶2~3∶8~15的丙二醇甲醚醋酸酯、壓克力樹脂、異丙醇混合而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法,其特征在于:所述激光內(nèi)切處理為通過(guò)控制激光的波段、頻率、功率向所述圖形藍(lán)寶石襯底發(fā)射激光脈沖,以使所述圖形藍(lán)寶石襯底的內(nèi)部結(jié)構(gòu)產(chǎn)生應(yīng)變或松弛。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法,其特征在于:所述步驟1)中采用皮秒激光器對(duì)所述圖形藍(lán)寶石襯底進(jìn)行激光內(nèi)切處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的制造方法,其特征在于:所述激光內(nèi)切處理采用的激光波段為1064nm,激光頻率為50~100KHz,激光功率為0.5~10W。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6任意一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管的制造方法,其特征在于:所述內(nèi)切圖案的平面形狀為矩形、正方形或三角形。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~6任意一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管的制造方法,其特征在于:所述內(nèi)切圖案的中心平面離所述圖形藍(lán)寶石襯底上表面的距離為10~400um。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~6任意一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管的制造方法,其特征在于:所述內(nèi)切圖案的厚度為3~12um。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~6任意一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管的制造方法,其特征在于:所述內(nèi)切圖案由多個(gè)結(jié)構(gòu)松弛的微型腔體間隔排列而成,且相鄰兩微型腔體的中心距離為1~20um。
11.根據(jù)權(quán)利要求1~6任意一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管的制造方法,其特征在于:所述步驟3)中,先刻蝕各該發(fā)光二極管陣列以獲得欲制備N電極的N-GaN平臺(tái),然后于所述N-GaN平臺(tái)制備N電極,并于所述透明導(dǎo)電層上制備P電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求1~6任意一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管的制造方法,其特征在于:所述步驟5)中,沿所述圖形藍(lán)寶石襯底露出的內(nèi)切圖案對(duì)所述圖形藍(lán)寶石襯底及陣列進(jìn)行剝離,以獲得多個(gè)與所述內(nèi)切圖案形狀一致的發(fā)光二極管芯片。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海藍(lán)光科技有限公司,未經(jīng)上海藍(lán)光科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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