[發明專利]半導體封裝結構及其制造方法無效
| 申請號: | 201210112147.0 | 申請日: | 2012-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN102623359A | 公開(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發明(設計)人: | 洪嘉臨 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/60;H01L25/00;H01L23/31 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陸勍 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體封裝結構的制造方法,包括以下步驟:
(a)提供一基板,該基板具有一第一表面及一第二表面;
(b)形成數個導電元件于該基板的該第一表面;
(c)設置一芯片至該基板的該第一表面,且該芯片電性連接至該基板;
(d)覆蓋一模具于該基板上,該模具的一內表面具有一薄膜,該薄膜接觸該芯片的一表面,且該薄膜容置所述導電元件的部分;及
(e)形成一封膠材料以包覆該基板的該第一表面、該芯片及部分所述導電元件,且暴露該芯片的該表面。
2.如權利要求1的方法,其中該步驟(e)后另包括于所述導電元件的周圍的封膠材料形成凹槽的步驟。
3.如權利要求1的方法,其中該步驟(e)之后更包括:
(f)提供一上封裝結構,該上封裝結構包括一上基板、一上芯片及數個接合焊墊,該上基板具有一第一表面及一第二表面,該上芯片電性連接該上基板的該第一表面,所述接合焊墊設置于該上基板的該第二表面;
(g)堆迭所述接合焊墊于所述導電元件上;及
(h)進行回焊,使得所述接合焊墊及所述導電元件電性連接。
4.一種半導體封裝結構,包括:
一基板,具有一第一表面及一第二表面;
一芯片,設置于該基板的該第一表面,且電性連接至該基板;
數個導電元件,設置于該基板的該第一表面;及
一封膠材料,利用一模具進行灌模工藝而成,該模具的一內表面具有一薄膜,該薄膜接觸該芯片的一表面,且該薄膜容置所述導電元件的部分,該封膠材料包覆該基板的該第一表面、該芯片及部分所述導電元件,且暴露該芯片的該表面。
5.如權利要求4的半導體封裝結構,另包括數個凹槽,形成于所述導電元件的周圍的封膠材料。
6.如權利要求5的半導體封裝結構,其中所述凹槽的外圍寬度大于所述導電元件的直徑約20%至50%;且所述凹槽的深度約為所述導電元件的直徑的5%至50%。
7.如權利要求4的半導體封裝結構,該封膠材料包覆所述導電元件整體高度的30%-80%。
8.一種堆迭式封裝結構,包括:
一基板,具有一第一表面及一第二表面;
一芯片,設置至該基板的該第一表面,且電性連接至該基板;
數個導電元件,設置于該基板的該第一表面;
一第一封膠材料,利用一模具進行灌模工藝而成,該模具的一內表面具有一薄膜,該薄膜接觸該芯片的一表面,且該薄膜容置所述導電元件的部分,該第一封膠材料包覆該基板的該第一表面、該芯片及部分所述導電元件,且暴露該芯片的該表面;
一上基板,具有一第一表面及一第二表面,且該第二表面電性連接所述導電元件;
一上芯片,設置至該上基板的該第一表面,且電性連接至該上基板;及
一第二封膠材料,包覆該上基板的該第一表面及該上芯片。
9.如權利要求8的堆迭式封裝結構,另包括數個凹槽,形成于所述導電元件的周圍的封膠材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





