[發明專利]一種InP襯底生長InGaAs電池層的結構及其方法

無效

• 申請號: 201210111925.4
• 申請日: 2012-04-17
• 公開（公告）號: CN102623575A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 趙勇明;陸書龍;季蓮;何巍;李奎龍;李鵬;董建榮;楊輝
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0352
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種InP襯底生長InGaAs電池層的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：采用金屬有機化合物化學氣相沉淀法，在InP襯底上生長一層InP緩沖層；

步驟二：采用金屬有機化合物化學氣相沉淀法，在所述步驟一的InP緩沖層表面從下至上依次生長至少一層InAsP過渡層，每層InAsP過渡層與所述InP襯底存在晶格失配度；

步驟三：采用金屬有機化合物化學氣相沉淀法，在所述步驟二的InAsP過渡層上生長InGaAs電池層，獲得目標產品。

2.根據權利要求1所述的InP襯底生長InGaAs電池層的方法，其特征在于，所述InAsP過渡層的晶格失配度逐層增加。

3.根據權利要求2所述的InP襯底生長InGaAs電池層的方法，其特征在于，所述步驟二中每個所述InAsP過渡層由上補償層及下補償層組成；先生長的下補償層比后生長的上補償層晶格失配度大，且兩者晶格失配度不超過0.2%。

4.根據權利要求3所述的InP襯底生長InGaAs電池層的方法，其特征在于，不同的InAsP過渡層之間相鄰的上補償層及下補償層晶格失配度相差不超過0.4%。

5.根據權利要求3所述的InP襯底生長InGaAs電池層的方法，其特征在于，與所述InGaAs電池層相鄰的InAsP過渡層其上補償層與下補償層之間的晶格失配度不超過0.05%。

6.根據權利要求5所述的InP襯底生長InGaAs電池層的方法，其特征在于，所述上補償層或下補償層的厚度為150~200nm。

7.根據權利要求6所述的InP襯底生長InGaAs電池層的方法，其特征在于，所述InP緩沖層的厚度為50~500nm。

8.根據權利要求7所述的InP襯底生長InGaAs電池層的方法，其特征在于，所述InP襯底與InGaAs電池層的晶格失配度為1.3%。

9.一種InP襯底生長InGaAs電池層的結構，包括底層InP襯底及頂層InGaAs電池層，其特征在于，在InP襯底及InGaAs電池層之間依次層疊InP緩沖層以及至少一層與所述InP襯底存在晶格失配度的InAsP過渡層。

10.根據權利要求9所述的InP襯底生長InGaAs電池層的結構，其特征在于，所述InAsP過渡層的晶格失配度逐層增加。

11.根據權利要求10所述的InP襯底生長InGaAs電池層的結構，其特征在于，所述步驟二中每層InAsP過渡層由上補償層及下補償層組成；先生長的下補償層比后生長的上補償層晶格失配度大，且兩者晶格失配度不超過0.2%。

12.根據權利要求11所述的InP襯底生長InGaAs電池層的結構，其特征在于，不同的InAsP過渡層之間相鄰的上補償層及下補償層晶格失配度相差不超過0.4%。

13.根據權利要求10所述的InP襯底生長InGaAs電池層的結構，其特征在于，與所述InGaAs電池層相鄰的InAsP過渡層的上補償層與下補償層之間的晶格失配度不超過0.05%。

14.根據權利要求12所述的InP襯底生長InGaAs電池層的結構，其特征在于，所述補償層的厚度為150~200nm。

15.根據權利要求14所述的InP襯底生長InGaAs電池層的結構，其特征在于，所述InP緩沖層的厚度為50~500nm。

16.根據權利要求15所述的InP襯底生長InGaAs電池層的結構，其特征在于，所述InP襯底與InGaAs電池層的晶格失配度為1.3%。