[發明專利]一種氮化鎵基多結換能單元同位素電池有效
| 申請號: | 201210110741.6 | 申請日: | 2012-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN102610289A | 公開(公告)日: | 2012-07-25 |
| 發明(設計)人: | 王關全;楊玉青;胡睿;劉業兵;徐建;李昊;張華明;鐘正坤;羅順忠 | 申請(專利權)人: | 中國工程物理研究院核物理與化學研究所 |
| 主分類號: | G21H1/06 | 分類號: | G21H1/06 |
| 代理公司: | 中國工程物理研究院專利中心 51210 | 代理人: | 翟長明;韓志英 |
| 地址: | 621900 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氮化 基多 結換能 單元 同位素 電池 | ||
1.一種氮化鎵基多結換能單元同位素電池,其特征是:所述的同位素電池含有氮化鎵基多結換能單元和輔助部件;所述的換能單元包括藍寶石基底(18)、緩沖層(16)、N氮化鎵層(14)、N+氮化鎵層(15),i氮化鎵層(13),P+氮化鎵層(11)、P氮化鎵層(12),SiO2保護層(10)、正面電極(2)以及臺階電極(5);氮化鎵基多結換能單元中各部分的排列關系是,SiO2保護層(10)、P+氮化鎵層(11)、P氮化鎵層(12)、i氮化鎵層(13)、N氮化鎵層(14)、N+氮化鎵層(15)、緩沖層(16)、藍寶石基底(18)從上至下依次排布,在P+氮化鎵層(11)表面制作正面電極(2)且不被SiO2保護層(10)覆蓋,在N+氮化鎵層(15)裸露的環形表面制作臺階電極(5),構成P+PiNN+型的氮化鎵基多結換能單元;所述的輔助部件包括放射源片(1)、外封裝層(3)、內封裝層(4)、正引線(6)、負引線(17)、正電極柱(9)、負電極柱(19)、絕緣膠(7)以及底座(8);輔助部件中各部分的排列關系是,放射源片(1)置于SiO2保護層(10)之上正中央,在藍寶石基底(18)正下方與底座(8)正上方之間設置有絕緣膠(7),正引線(6)的一端連接在正面電極(2)上,另一端連接在正電極柱(9)上;負引線(17)的一端連接在臺階電極(5)上,另一端連接在負電極柱(19)上;所述的放射源片(1)至底座(8)之間排布的各部分均通過內封裝層(4)固定,在內封裝層(4)的外圍包覆有外封裝層(3);正電極柱(9)、負電極柱(19)分別垂直于底座(8),并穿過底座(8)、內封裝層(4)和外封裝層(3)。
2.根據權利要求1所述的同位素電池,其特征是:所述的氮化鎵基多結換能單元中各部分的排列關系替換為,SiO2保護層(10)、N+氮化鎵層(15)、N氮化鎵層(14)、i氮化鎵層(13)、P氮化鎵層(12)、P+氮化鎵層(11)、緩沖層(16)、藍寶石基底(18)從上至下依次排布,在N+氮化鎵層(15)表面制作正面電極(2)且不被SiO2保護層(10)覆蓋,在P+氮化鎵層(11)裸露的環形表面制作臺階電極(5),構成N+NiPP+型的氮化鎵基多結換能單元。
3.根據權利要求1所述同位素電池,其特征是:所述的P+氮化鎵層(11)摻雜濃度為1×1017~1×1018/cm3,P氮化鎵層(12)摻雜濃度為1×1016~1×1017/cm3,i氮化鎵層(13)為非故意摻雜層,N氮化鎵層(14)摻雜濃度為1×1017~1×1018/cm3,N+氮化鎵層(15)摻雜濃度為1×1018~1×1019/cm3。
4.根據權利要求1所述的同位素電池,其特征是:所述的放射源片(1)采用Ni-63放射源片或H-3放射源片。
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