[發明專利]輸出驅動電路及晶體管輸出電路

有效

• 申請號: 201210110123.1
• 申請日: 2012-04-13
• 公開（公告）號: CN102931974A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 許暢宰
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03K19/094
• 分類號: H03K19/094
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種輸出驅動電路，包括：

第一驅動電路單元，包括第一晶體管，所述第一晶體管根據第一開關的接通操作而被驅動，以將高電壓電源提供給輸出晶體管的柵極；

第二驅動電路單元，包括第二晶體管，所述第二晶體管由根據第二開關的接通操作所產生的單觸發脈沖來驅動，以使所述輸出晶體管的柵-源電容放電，其中所述第二開關與所述第一開關互補操作；以及

輸出驅動電壓鉗位單元，其設置于高電壓電源端和所述輸出晶體管的柵極之間與所述第一驅動電路單元并聯，以保持根據所述第二開關的接通操作而放電的所述輸出晶體管的柵極電位。

2.根據權利要求1所述的輸出驅動電路，其中，所述第二驅動電路單元包括：

所述第二開關，與所述第一開關互補操作并根據接通操作向低電壓電源端釋放流過所述輸出驅動電壓鉗位單元的電流；

脈沖生成器，用于根據所述第二開關的接通操作生成用于驅動所述第二晶體管的所述單觸發脈沖；以及

n溝道的所述第二晶體管，由所述單觸發脈沖驅動以使所述輸出晶體管的柵-源電容放電。

3.根據權利要求1所述的輸出驅動電路，其中，所述第一驅動電路單元包括：

所述第一開關；

p溝道的所述第一晶體管，具有連接至所述高電壓電源端的源電極，并根據所述第一開關的接通操作而被驅動，以將所述高電壓電源提供給所述輸出晶體管的柵極；以及

第一晶體管驅動電壓鉗位單元，用于根據所述第一開關的接通操作，將從所述高電壓電源端供給所述第一晶體管的柵極的驅動電壓鉗位。

4.根據權利要求2所述的輸出驅動電路，其中，所述第一驅動電路單元包括：

所述第一開關；

p溝道的所述第一晶體管，具有連接至所述高電壓電源端的源電極，并根據所述第一開關的接通操作而被驅動，以將所述高電壓電源提供給所述輸出晶體管的柵極；以及

第一晶體管驅動電壓鉗位單元，用于根據所述第一開關的接通操作，將從所述高電壓電源端供給所述第一晶體管的柵極的驅動電壓鉗位。

5.根據權利要求3所述的輸出驅動電路，其中，所述第一晶體管驅動電壓鉗位單元包括設置于所述高電壓電源端與所述第一晶體管的柵極之間且彼此并聯連接的電阻器和第一齊納二極管。

6.根據權利要求4所述的輸出驅動電路，其中，所述第一晶體管驅動電壓鉗位單元包括設置于所述高電壓電源端與所述第一晶體管的柵極之間且彼此并聯連接的電阻器和第一齊納二極管。

7.根據權利要求3所述的輸出驅動電路，其中，所述第一晶體管驅動電壓鉗位單元包括：

第一齊納二極管，設置于所述高電壓電源端與所述第一晶體管的柵極之間；

電流鏡，與所述第一齊納二極管并聯連接；以及

第三開關，連接至位于所述第一晶體管的柵極的相對側的所述電流鏡的下端，以與所述第一開關互補操作。

8.根據權利要求4所述的輸出驅動電路，其中，所述第一晶體管驅動電壓鉗位單元包括：

第一齊納二極管，設置于所述高電壓電源端與所述第一晶體管的柵極之間；

電流鏡，與所述第一齊納二極管并聯連接；以及

第三開關，連接至位于所述第一晶體管的柵極的相對側的所述電流鏡的下端，以與所述第一開關互補操作。

9.根據權利要求7所述的輸出驅動電路，其中，所述電流鏡具有源電極連接至所述高電壓電源端的第三晶體管和第四晶體管的鏡像結構，其中，所述第三晶體管和所述第四晶體管是p溝道MOSFET或p溝道LDMOS?FET，所述第四晶體管的漏電極連接至所述第一晶體管的柵極，所述第三晶體管的漏電極連接至所述第三開關以及所述第三晶體管和所述第四晶體管的柵電極，而且所述第三開關由n溝道MOSFET或n溝道LDMOS?FET構成。

10.根據權利要求8所述的輸出驅動電路，其中，所述電流鏡具有源電極連接至所述高電壓電源端的第三晶體管和第四晶體管的鏡像結構，其中，所述第三晶體管和所述第四晶體管是p溝道MOSFET或p溝道LDMOS?FET，所述第四晶體管的漏電極連接至所述第一晶體管的柵極，所述第三晶體管的漏電極連接至所述第三開關以及所述第三晶體管和所述第四晶體管的柵電極，而且所述第三開關由n溝道MOSFET或n溝道LDMOS?FET構成。