[發明專利]一種負磁導率超材料及MRI磁信號增強器件

有效

• 申請號: 201210110055.9
• 申請日: 2012-04-16
• 公開（公告）號: CN102683872A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 劉若鵬;欒琳;郭潔;余銓強
• 申請（專利權）人: 深圳光啟創新技術有限公司
• 主分類號: H01Q15/00
• 分類號: H01Q15/00;A61B5/055
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種負磁導率超材料，包括至少一層具有負磁導率的超材料層，所述超材料層包括基板以及周期性陣列排布在基板兩側的多個第一人造微結構和第二人造微結構，其特征在于，所述第一人造微結構由四個呈環形陣列的第一人造微結構單元組成，所述第二人造微結構由四個呈環形陣列的第二人造微結構單元組成，所述第一人造微結構單元和第二人造微結構單元是開口在一角的開口諧振環結構，所述第二人造微結構單元的位置與第一人造微結構單元一一對應，所述第二人造微結構單元的形狀為所述第一人造微結構單元的形狀繞所述環形陣列的幾何中心旋轉180度得到的形狀。

2.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述第一人造微結構和第二人造微結構上覆有保護層。

3.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述保護層的厚度為0.08-0.12mm。

4.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述保護層的介電常數為4-8。

5.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述保護層的損耗正切值為0.010-0.015。

6.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述保護層為有機高分子材料或陶瓷材料。

7.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述基板的厚度為0.008-0.015mm。

8.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述基板的介電常數為14-20。

9.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述基板的損耗正切值為0.003-0.007。

10.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述人造微結構的線寬為0.1-0.3mm。

11.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述人造微結構的線間距為0.05-0.15mm。

12.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述人造微結構的線厚度為0.03-0.05mm。

13.一種MRI磁信號增強器件，設置在待測部位與MRI成像設備的磁信號接收線圈之間，其特征在于，所述MRI磁信號增強器件為超材料，所述超材料在MRI成像設備的磁信號工作頻率下具有負磁導率。

14.根據權利要求13所述的MRI磁信號增強器件，其特征在于，所述超材料為權利要求1至12任一所述的負磁導率超材料。