[發明專利]發光二極管晶粒及使用該晶粒的發光二極管封裝結構

有效

• 申請號: 201210109929.9
• 申請日: 2012-04-16
• 公開（公告）號: CN103378233A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 沈佳輝;洪梓健
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管晶粒，包括基板和磊晶層，所述磊晶層包括依次設置在基板上的第一半導體層、有源層和第二半導體層，其特征在于：所述發光二極管晶粒還包括電極及容置部，所述電極包括第一電極、第二電極及共用電極，所述第一電極和第二電極與第二半導體層電連接，所述容置部形成于所述磊晶層出光面的中間位置并貫通所述第二半導體層和有源層，所述共用電極設置在所述容置部內并位于所述第一半導體層上。

2.如權利要求1所述的發光二極管晶粒，其特征在于：所述第一半導體層為N型半導體層，所述第二半導體層為P型半導體層，所述第一電極和第二電極為P型電極，所述共用電極為N型電極。

3.如權利要求1所述的發光二極管晶粒，其特征在于：還包括設于第二半導體層上的透明導電層，所述第一電極和第二電極分別設置在所述透明導電層的兩側。

4.如權利要求1所述的發光二極管晶粒，其特征在于：所述發光二極管晶粒還包括一通槽，所述通槽將磊晶層分隔成兩個獨立的發光部分。

5.如權利要求4所述的發光二極管晶粒，其特征在于：所述容置部為頂面設有開口的圓柱形凹槽。

6.如權利要求5所述的發光二極管晶粒，其特征在于：所述通槽包括自所述容置部向所述第一半導體層延伸并貫通所述第一半導體層的第一通槽及由所述第一通槽兩端分別向外延伸形成的第二通槽和第三通槽，所述第二通槽和第三通槽均貫通磊晶層直至基板的上表面并沿所述容置部的徑向向外延伸至發光二極管晶粒外表面。

7.如權利要求4所述的發光二極管晶粒，其特征在于：所述容置部為長條形的凹槽，所述容置部將有源層和第二半導體層分隔成不相連的兩部分。

8.如權利要求7所述的發光二極管晶粒，其特征在于：所述通槽為長條形凹槽，所述通槽自所述容置部底部向所述第一半導體層延伸并貫通所述第一半導體層，所述通槽的兩端分別向外延伸至發光二極管晶粒的外表面。

9.如權利要求6或8所述的發光二極管晶粒，其特征在于：所述共用電極包括一第三電極和一第四電極，所述第三電極和第四電極分別設置在所述容置部內并位于所述通槽兩側的第一半導體層上。

10.一種發光二極管封裝結構，包括如權利要求1至9任意一項所述的發光二極管晶粒及環繞覆蓋所述發光二極管晶粒上的透鏡。