[發明專利]硬掩膜層結構及其制造方法和半導體器件制造方法

有效

• 申請號: 201210109919.5
• 申請日: 2012-04-13
• 公開（公告）號: CN103377886A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 鄧浩;周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種硬掩膜層結構制造方法，其特征在于，包括：

提供一形成有含碳低K介質層的半導體襯底；

通過無氧等離子體增強沉積法在所述含碳低K介質層上形成第一TEOS硬掩膜層；以及

通過有氧等離子體增強沉積法在所述第一TEOS硬掩膜層上形成第二TEOS硬掩膜層。

2.如權利要求1所述的硬掩膜層結構制造方法，其特征在于，所述第一TEOS硬掩膜層的厚度為

3.如權利要求1所述的硬掩膜層結構制造方法，其特征在于，形成第一TEOS硬掩膜層的無氧等離子體增強沉積參數包括：TEOS的供應速率為100～300mg/min；He的氣體流量為2000～4000sccm；Ar的氣體流量為1000～2000sccm；高頻射頻功率為300～600瓦；低頻射頻功率為150～250瓦；處理壓力為3～8torr。

4.如權利要求1所述的硬掩膜層結構制造方法，其特征在于，還包括：在所述第二TEOS硬掩膜層上沉積金屬硬掩膜層。

5.如權利要求4所述的硬掩膜層結構制造方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜層為TiN和/或TaN。

6.一種硬掩膜層結構，其特征在于，包括：

通過無氧等離子體增強沉積法形成的第一TEOS硬掩膜層；以及

通過有氧等離子體增強沉積法形成于第一TEOS硬掩膜層上的第二TEOS硬掩膜層。

7.如權利要求6所述的硬掩膜層結構，其特征在于，所述第一TEOS硬掩膜層的厚度為

8.如權利要求6所述的硬掩膜層結構，其特征在于，所述硬掩膜層結構還包括位于所述第二TEOS硬掩膜層上的金屬硬掩膜層。

9.如權利要求8所述的硬掩膜層結構，其特征在于，所述金屬硬掩膜層為TiN和/或TaN。

10.一種半導體器件制造方法，其特征在于，使用如權利要求1至5中任一項所述的硬掩膜層結構制造方法形成硬掩膜層結構。