[發(fā)明專利]硅通孔背面導(dǎo)通的制造工藝方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210109678.4
• 申請(qǐng)日: 2012-04-16
• 公開（公告）號(hào): CN103377984A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許升高;肖勝安
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種硅通孔背面導(dǎo)通的制造工藝方法，其特征在于：包含如下工藝步驟：

步驟一，在硅片正面上制作溝槽，并淀積一層金屬阻擋層；

步驟二，采用金屬對(duì)硅正面溝槽進(jìn)行無縫填充；

步驟三，對(duì)硅片正表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨完全去除表面的填充金屬及金屬阻擋層，再完成正面金屬互連線及正面后端工藝；

步驟四，采用傳統(tǒng)的背面減薄工藝減薄硅片背面；

步驟五，進(jìn)行硅片背面濕法刻蝕去除背面減薄工藝產(chǎn)生的硅損傷層；

步驟六，進(jìn)行硅片背面光刻，定義背面的硅通孔導(dǎo)通區(qū)域；

步驟七，背面干法刻蝕去除硅片背面所對(duì)應(yīng)的硅通孔區(qū)域的硅，保證硅通孔的底部全部露出；

步驟八，背面蒸鍍金屬，完成硅通孔的背面導(dǎo)通。

2.如權(quán)利要求1所述的硅通孔背面導(dǎo)通的制造工藝方法，其特征在于：所述步驟一中硅正面刻蝕的溝槽深度為50～250微米，寬度為1.5～5微米，所述溝槽填充的金屬阻擋層厚度為200～1500埃。

3.如權(quán)利要求1所述的硅通孔背面導(dǎo)通的制造工藝方法，其特征在于：所述步驟二中硅片正面溝槽填充金屬包含鎢和銅，實(shí)現(xiàn)溝槽的無縫填充。

4.如權(quán)利要求1所述的硅通孔背面導(dǎo)通的制造工藝方法，其特征在于：所述步驟四中，硅片背表面減薄到距離硅片正面溝槽底部5～20微米。

5.如權(quán)利要求1所述的硅通孔背面導(dǎo)通的制造工藝方法，其特征在于：所述步驟五中，背面濕法刻蝕采用含氫氟酸和硝酸的混合酸液，刻蝕的硅片背面硅損傷層厚度為3～15微米。

6.如權(quán)利要求1所述的硅通孔背面導(dǎo)通的制造工藝方法，其特征在于：所述步驟七中，背面干法刻蝕的刻蝕氣體為含氟、氯鹵素離子的氣體，刻蝕量大于去除硅損傷層后硅片背表面與硅正面溝槽底部的距離，為2～5微米。

7.如權(quán)利要求1所述的硅通孔背面導(dǎo)通的制造工藝方法，其特征在于：所述步驟八中，硅片背面淀積的金屬包含鋁、鈦、鎳、銀、金，背面淀積金屬的總厚度為1～3微米。