[發明專利]半導體器件、顯示裝置和電子裝置有效
| 申請號： | 201210109159.8 | 申請日： | 2006-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN102637407A | 公開（公告）日： | 2012-08-15 |
| 發明（設計）人： | 木村肇 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | G09G3/32 | 分類號： | G09G3/32;H01L27/32 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 王永剛 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 顯示裝置 電子 裝置 | ||
1.一種半導體器件，包括像素，所述像素包含第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管，
其中所述第一晶體管的源電極和漏電極中的一個與像素電極電連接，
所述第二晶體管的源電極和漏電極中的一個與所述第一晶體管的柵電極電連接，并且
所述第三晶體管的源電極和漏電極中的一個與所述像素電極電連接。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，
其中所述第一晶體管的源電極和漏電極中的另一個與電源線電連接。
3.根據權利要求2所述的半導體器件，
其中所述第三晶體管的源電極和漏電極中的另一個與電勢供應線電連接。
4.根據權利要求3所述的半導體器件，
其中輸入到所述電源線的電勢具有兩個值V1和V2，
V1是在V2和輸入到所述電勢供應線的電勢之間的電勢，并且
V1和輸入到所述電勢供應線的電勢之間的差大于所述第一晶體管的閾值電壓的絕對值。
5.根據權利要求4所述的半導體器件，
其中V1是比輸入到所述電勢供應線的電勢高的電勢，并且
V2高于V1。
6.根據權利要求4所述的半導體器件，
其中V1是比輸入到所述電勢供應線的電勢低的電勢，并且
V2小于V1。
7.根據權利要求2所述的半導體器件，
其中所述第二晶體管的源電極和漏電極中的另一個與所述電源線電連接。
8.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括電容器，
其中所述電容器的第一電極與所述第一晶體管的源電極和漏電極中的所述一個電連接，并且
所述電容器的第二電極與所述第一晶體管的柵電極電連接。
9.根據權利要求8所述的半導體器件，
其中所述第一晶體管是n-溝道晶體管。
10.一種包含根據權利要求1-9中任一項所述的半導體器件的顯示裝置。
11.一種在顯示部分包含根據權利要求10所述的顯示裝置的電子裝置。
12.一種半導體器件，包括像素，所述像素包含第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和第四晶體管，
其中所述第一晶體管的源電極和漏電極中的一個與像素電極電連接，
所述第二晶體管的源電極和漏電極中的一個與所述第一晶體管的柵電極電連接，并且
所述第三晶體管的源電極和漏電極中的一個與所述像素電極電連接，并且
所述第四晶體管的源電極和漏電極中的一個與所述第一晶體管的柵電極電連接。
13.根據權利要求12所述的半導體器件，
其中所述第四晶體管的源電極和漏電極中的另一個與信號線電連接。
14.根據權利要求12所述的半導體器件，
其中所述第一晶體管的源電極和漏電極中的另一個與電源線電連接。
15.根據權利要求14所述的半導體器件，
其中所述第三晶體管的源電極和漏電極中的另一個與電勢供應線電連接。
16.根據權利要求15所述的半導體器件，
其中輸入到所述電源線的電勢具有兩個值V1和V2，
V1是在V2和輸入到所述電勢供應線的電勢之間的電勢，并且
V1和輸入到所述電勢供應線的電勢之間的差大于所述第一晶體管的閾值電壓的絕對值。
17.根據權利要求16所述的半導體器件，
其中V1是比輸入到所述電勢供應線的電勢高的電勢，并且
V2高于V1。
18.根據權利要求16所述的半導體器件，
其中V1是比輸入到所述電勢供應線的電勢低的電勢，并且
V2小于V1。
19.根據權利要求14所述的半導體器件，
其中所述第二晶體管的源電極和漏電極中的另一個與所述電源線電連接。
20.根據權利要求12所述的半導體器件，還包括電容器，
其中所述電容器的第一電極與所述第一晶體管的源電極和漏電極中的所述一個電連接，并且
所述電容器的第二電極與所述第一晶體管的柵電極電連接。
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