[發(fā)明專(zhuān)利]一種制備晶體硅太陽(yáng)能電池沉積減反射薄膜的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210109105.1
• 申請(qǐng)日: 2012-04-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102623572A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙學(xué)玲;范志東;孫小娟;李倩;王志國(guó);吝占勝;冉祖輝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 英利能源（中國(guó)）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/18;C23C16/34
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 魏曉波

1.一種制備晶體硅太陽(yáng)能電池沉積減反射薄膜的方法，用于在太陽(yáng)能電池片上制備氮化硅減反射薄膜，其特征在于，包括以下步驟：

1)在反應(yīng)裝置中充入氮?dú)猓⒎磻?yīng)裝置中的溫度升至反應(yīng)溫度；

2)在預(yù)反應(yīng)壓強(qiáng)下，向所述反應(yīng)裝置中持續(xù)充入氨氣，并在反應(yīng)裝置中持續(xù)發(fā)射預(yù)反應(yīng)射頻；

3)所述預(yù)反應(yīng)壓強(qiáng)不變，發(fā)射反應(yīng)射頻的情況下，向反應(yīng)裝置中持續(xù)充入硅烷，使氨氣與硅烷以第一流量比進(jìn)入反應(yīng)裝置中，并持續(xù)沉積120-200s以得到第一層氮化硅減反射薄膜；

4)所述預(yù)反應(yīng)壓強(qiáng)和所述反應(yīng)射頻均不變的情況下，再次向反應(yīng)裝置中持續(xù)充入硅烷，使氨氣與硅烷以流量比為8∶1-10∶1的比例進(jìn)入反應(yīng)裝置中，并持續(xù)沉積500-599s以得到第二層氮化硅減反射薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備晶體硅太陽(yáng)能電池沉積減反射薄膜的方法，其特征在于，所述反應(yīng)裝置為石英爐管。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備晶體硅太陽(yáng)能電池沉積減反射薄膜的方法，其特征在于，所述反應(yīng)溫度為350-460℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備晶體硅太陽(yáng)能電池沉積減反射薄膜的方法，其特征在于，步驟2)中所述氨氣持續(xù)進(jìn)入所述反應(yīng)裝置的流量為2-3L/s。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備晶體硅太陽(yáng)能電池沉積減反射薄膜的方法，其特征在于，所述預(yù)反應(yīng)壓強(qiáng)為1500-2000mtorr。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備晶體硅太陽(yáng)能電池沉積減反射薄膜的方法，其特征在于，所述預(yù)反應(yīng)射頻的功率為4500-5500W。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備晶體硅太陽(yáng)能電池沉積減反射薄膜的方法，其特征在于，所述預(yù)反應(yīng)射頻持續(xù)發(fā)射的時(shí)間為200-300s。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備晶體硅太陽(yáng)能電池沉積減反射薄膜的方法，其特征在于，所述反應(yīng)射頻的功率為5300-6300W。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備晶體硅太陽(yáng)能電池沉積減反射薄膜的方法，其特征在于，中所述第一流量比為3∶1-5∶1。