[發(fā)明專利]一種三極管表面處理液及其制備方法

有效

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• 申請日: 2012-04-14
• 公開（公告）號: CN102618900A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設計）人: 修建東
• 申請（專利權）人: 修建東
• 主分類號: C25D5/34
• 分類號: C25D5/34
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發(fā)明涉及半導體塑封三極管表面處理化工技術領域，尤指一種三極管表面處理液及其制備方法。

背景技術

三極管封裝是指將通過測試的晶圓按照產(chǎn)品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程：來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝后被切割為小的晶片，然后將切割好的晶片貼裝到相應的引線框架的小島上，再利用超細的金屬（金錫銅鋁）導線連接到基板的相應引腳,構成所要求的電路，然后再對獨立的晶片用塑料外殼加以封裝保護。

目前中國已經(jīng)成為全球增長最快和使用量最大的三極管市場之一，典型的三極管封裝工藝流程為：檢片、粘片、鍵合、塑封、電鍍、打印、切筋、測試和包裝，隨著科技的發(fā)展和技術要求的提高，傳統(tǒng)的三極管鍍鎳引線框架正逐漸被裸銅引線框架和半裸銅引線框架所替代，后者具有明顯的性能優(yōu)勢，三極管裸銅引線框架還具有較強的價格優(yōu)勢，三極管半裸銅引線框架是指部分電鍍了的引線框架，尤其是鍍銀三極管半裸銅引線框架，性能更優(yōu)。

與傳統(tǒng)三極管鍍鎳引線框架相比，由于缺少了鍍鎳層的保護，裸銅引線框架和半裸引線銅框架塑封后，三極管的三個管腳和背部散熱片難免被氧化和被部分溢料污染，從而影響其下一步的電鍍質(zhì)量，電鍍質(zhì)量的好壞有影響著三極管可焊性、外表美觀和散熱性，因此，在裸銅引線框架和半裸銅引線框架三極管電鍍鍍錫前，需要對其表面進行處理，尤其是對銅氧化物的處理，是與傳統(tǒng)鍍鎳引線框架三極管最明顯的區(qū)別。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明一種三極管表面處理液及其制備方法，其特征在于，克服現(xiàn)有技術的不足，制備一種可去除三極管金屬表面氧化物和油污及溢料的表面處理液，其使用方便、處理快捷，并且能夠提高塑封晶體管電鍍質(zhì)量和封裝良品率。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一種三極管表面處理液及其制備方法，該表面處理液的組分及質(zhì)量百分含量為：

A組分??????????????0%?～?80%

B組分??????????????0%?～?80%

C組分???????????????2%?～?10%

D組分???????????????5%?～?10%

E組分??????????????0.5%?～?1%

F組分?????????????0.1%?～?1.5%???

G組分?????????????????0～?2%

H組分??????????????10%?～?30%

其中，A組分是至少一種具有通式結構的亞砜化合物，

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這里R₁是碳數(shù)為1～7的烷基、烯基或苯基；R₂是碳數(shù)為1～7的烷基、烯基或苯基；

B組分是通式為C₄H₈O₂S的環(huán)丁砜化合物。

C組分是NH₂SO₃H的磺酰胺酸化合物，在加熱的條件下，與金屬氧化物發(fā)生反應，從而將其溶解。

D組分是檸檬酸，其主要作用是與二價銅離子形成穩(wěn)定配合物。

E組分是選自甲基苯并三氮唑、2–巰基苯并咪唑、2–氨基嘧啶、2，5–二巰基噻二唑和苯三唑中的一種或多種，其主要作用是作為銅的緩蝕劑。

F組分是硫脲,作為銅的緩蝕劑,并且能與亞銅離子形成配合物。

G組分是乙二胺四乙酸四(四羥乙基乙二胺)，主要作用是螯合劑。?

H組分是去離子水。

????本發(fā)明的制備方法為：將上述組分原料C組分、D組分、E組分、F組分和G組分,在30～50℃溫度下加熱溶解于H組分去離子水中，再加入A組分和B組分，使其全部溶解，可得到均勻透明的液體，罐裝即為成品。

具體實施方式

實施例1