[發明專利]存儲裝置

有效

• 申請號: 201210107973.6
• 申請日: 2012-04-13
• 公開（公告）號: CN103378084A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻文
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/105
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種存儲裝置，其特征在于，包括：

存儲陣列，包括多個垂直晶體管，分別電耦合至相應的字線與埋藏位線，其中所述字線沿著第一方向延伸，而所述埋藏位線沿著第二方向延伸；以及

至少一阱電壓提取區，沿著所述第二方向穿越所述存儲陣列，將所述存儲陣列區隔成第一次存儲陣列區及第二次存儲陣列區。

2.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，所述第一方向實質上垂直所述第二方向。

3.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，所述埋藏位線包括摻雜導電層以及導電層。

4.根據權利要求3所述的存儲裝置，其特征在于，位于所述存儲陣列區的所述摻雜導電層的摻雜劑與位于所述阱電壓提取區的摻雜導電層的摻雜劑具有不同的導電型。

5.根據權利要求3所述的存儲裝置，其特征在于，所述的多個垂直晶體管分別電耦合至相應的所述埋藏位線的所述摻雜導電層。

6.根據權利要求3所述的存儲裝置，其特征在于，所述摻雜導電層的材料包括摻雜多晶硅，所述導電層的材料包括金屬。

7.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，各所述垂直晶體管包括：

源極/漏極摻雜區設置在半導體襯底中；以及

柵極結構設置在所述源極/漏極摻雜區之間。

8.根據權利要求7所述的存儲裝置，其特征在于，所述阱電壓提取區包括至少一晶體管結構，所述晶體管結構包括：

第一摻雜區設置在所述半導體襯底中；

第二摻雜區設置在所述半導體襯底中，且所述第二摻雜區與所述第一摻雜區具有不同的導電型；以及

柵極結構設置在所述第一摻雜區與所述第二摻雜區之間。

9.根據權利要求8所述的存儲裝置，其特征在于，還包括；

阱區設置于所述半導體襯底中，所述阱區環繞該些垂直晶體管與所述晶體管結構，所述阱區與所述源極/漏極摻雜區具有不同的導電型。

10.根據權利要求9所述的存儲裝置，其特征在于，所述阱區與所述第一摻雜區具有相同的導電型，且所述源極/漏極摻雜區與所述第二摻雜區具有相同的導電型。