[發明專利]寬孔徑維恩ExB質量過濾器

有效

• 申請號: 201210107965.1
• 申請日: 2012-04-13
• 公開（公告）號: CN102737938A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: D.塔格爾;N.W.帕克
• 申請（專利權）人: FEI公司
• 主分類號: H01J37/30
• 分類號: H01J37/30
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;李家麟

1.一種帶電粒子束過濾器，包括：

第一電極集合，用于提供過濾器內的第一電場；

磁極集合，用于提供過濾器內且與所述電場垂直的磁場；

電阻性導體集合；以及

所述電阻性導體中的每一個上的第二電極集合，所述第二電極集合中的每一個使電流在對應的電阻性導體上流動以在對應的電阻性導體上產生電勢梯度，兩個電阻性導體一起提供過濾器內的第二電場方向，第二電場具有與第一電場方向不平行的分量。

2.根據權利要求1所述的帶電粒子束過濾器，其中所述電阻性導體集合包括所述磁極集合。

3.根據權利要求1所述的帶電粒子束過濾器，其中所述電阻性導體集合包括附著至磁極的層集合。

4.根據權利要求1所述的帶電粒子束過濾器，其中所述電阻性導體集合包括通過絕緣層附著至磁極的層集合。

5.根據前述權利要求中任一項所述的帶電粒子束過濾器，其中所述磁極集合中的每一個磁極延伸至所述第一電極集合中的電極之外。

6.根據前述權利要求中任一項所述的帶電粒子束過濾器，其中除任何消像散或偏轉場以外，沿第一電場極的電場方向的每個坐標處的物理孔徑中的電勢和磁極的內表面上的每個點處的電勢相同。

7.根據前述權利要求中任一項所述的帶電粒子束過濾器，其中所述第二電場是與所述磁場平行定向的偶極場。

8.根據前述權利要求中任一項所述的帶電粒子束過濾器，其中所述第二電場是四極場。

9.一種聚焦離子束鏡筒，包括：

離子源；

第一透鏡，用于從所述源接收離子；

根據前述權利要求中任一項所述的質量過濾器；以及

第二透鏡，用于將離開所述質量過濾器的離子聚焦到工件表面上。

10.根據權利要求9所述的聚焦離子束鏡筒，其中所述離子源是等離子體離子源。

11.根據權利要求9所述的聚焦離子束鏡筒，其中所述離子源是液態金屬離子源。

12.根據權利要求9至11中任一項所述的聚焦離子束鏡筒，還包括第二質量過濾器，所述第二質量過濾器校正來自第一質量過濾器的色差。

13.一種對離子進行過濾的方法，包括：

在過濾區中提供第一電場的源；

在所述過濾區中提供磁場的源，所述磁場與所述電場垂直；

在所述過濾區中提供第二電場的源，所述第二電場具有與所述磁場平行的分量，所述第二電場的源是能夠與所述第一電場的源無關地調整的；以及

通過所述過濾區來導向具有各種荷質比的離子，以分離具有不同荷質比的離子。

14.根據權利要求13所述的方法，其中在所述過濾區中提供第二電場的源包括：在作為所述磁場的源的一部分的磁極靴上提供電流。

15.根據權利要求13所述的方法，其中在所述過濾區中提供第二電場的源包括：在附著至作為所述磁場的源的一部分的磁極靴的電阻性導體上提供電流。

16.根據權利要求13所述的方法，其中在所述過濾區中提供第二電場的源包括：提供電場以偏轉離子束。

17.根據權利要求13至16中任一項所述的方法，其中在所述過濾區中提供第二電場的源包括：提供第二電場，所述第二電場形成用于校正離子束的消像散的四極場的一部分。