[發明專利]基于量子點和量子阱材料混合結構的超輻射發光管

有效

• 申請號: 201210107962.8
• 申請日: 2012-04-13
• 公開（公告）號: CN102623591A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 蘇輝
• 申請（專利權）人: 蘇輝
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊

1.一種基于量子點和量子阱材料混合結構的超輻射發光管，包括依次設置的下電極、襯底、下分離限制層、下波導層、有源層、上波導層、上分離限制層、蓋層、介質膜層、上電極構成，其特征在于：所述有源層為量子點和量子阱材料混合結構。

2.根據權利要求l所述的基于量子點和量子阱材料混合結構的超輻射發光管，其特征在于：所述量子點和量子阱材料混合結構為兩層或多層結構，所述兩層結構由沿材料生長方向上的單個量子點層和單個量子阱層層疊構成，所述多層結構由沿材料生長方向上的多個量子點層和多個量子阱層層疊構成。

3.根據權利要求2所述的基于量子點和量子阱材料混合結構的超輻射發光管，其特征在于：所述量子點和量子阱材料混合結構包括一下勢壘層和一上勢壘層，所述下勢壘層和上勢壘層之間設有一或多個量子點層和一或多個量子阱層，兩相鄰量子點層之間設有點點間隔層，相鄰量子點層與量子阱層之間設有點阱間隔層。

4.根據權利要求l所述的基于量子點和量子阱材料混合結構的超輻射發光管，其特征在于：所述量子點和量子阱材料混合結構由垂直于材料生長方向上的單個量子點區和單個量子阱區構成，或由垂直于材料生長方向交替設置的多個量子點區和多個量子阱區構成；所述量子點區由一或多個量子點層構成，所述量子阱區由一或多個量子阱層構成。

5.根據權利要求4所述的基于量子點和量子阱材料混合結構的超輻射發光管，其特征在于：所述量子點和量子阱材料混合結構的上電極是分開的，與下電極形成兩個或多個泵浦區，中間設有電極隔離條區。