[發明專利]一種基于機薄膜晶體管甲烷氣體傳感器及其制備方法

無效

• 申請號: 201210107841.3
• 申請日: 2012-04-13
• 公開（公告）號: CN102636552A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發明（設計）人: 鐘建;于軍勝;張霖;于欣格
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: G01N27/60
• 分類號: G01N27/60
• 代理公司: 成都華典專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 徐豐;楊保剛

1.一種基于機薄膜晶體管甲烷氣體傳感器,包括玻璃襯底（1）、柵電極（2）、柵極絕緣層（3）、漏電極（4）源電極（5）、具有氣體探測功能的有機層（6）組成，其特征在于：柵極絕緣層（3）位于刻蝕有柵極（2）的襯底（1）上，源電極（5）和漏電極（6）位于柵極絕緣層（3）之上，有機層（6）連接源電極（5）和漏電極（4）。

2.根據權利要求1所述的一種基于機薄膜晶體管甲烷氣體傳感器，其特征在于：所述有機層（6）由并三苯、并四苯、并五苯、6,13-二三異丙酯硅基乙炔并五苯、3,4-苯并芘、六苯并苯、6,13-五并苯醌中的至少一種構成。

3.根據權利要求1～2任一項所述的基于有機薄膜晶體管的甲烷氣體傳感器，其特征在于：所述有機層（6）的厚度為5-500?nm。

4.根據權利要求1所述的一種基于機薄膜晶體管甲烷氣體傳感器，其特征在于：所述襯底（1）由硅片、玻璃、聚合物薄膜或金屬箔制成。

5.根據權利要求1所述的一種基于機薄膜晶體管甲烷氣體傳感器，其特征在于：所述柵電極（2）、源電極（5）和漏電極（4）由低電阻的金屬及其合金材料、金屬氧化物或導電復合材料制成，源電極（5）和漏電極（4）的厚度為10-300?nm。

6.根據權利要求1所述的一種基于機薄膜晶體管甲烷氣體傳感器，其特征在于：所述柵極絕緣層（3）的厚度為20-2000?nm。

7.一種基于機薄膜晶體管甲烷氣體傳感器的制備方法，包括以下步驟：

①先對襯底（1）進行徹底的清洗，清洗后干燥；

②在襯底表面制備柵電極（2）；

③在柵電極（2）上面制備柵極絕緣層（3）并對絕緣層進行處理；

④在所述柵極絕緣層（3）上制備源電極（5）和漏電極（4）；

⑤在源電極（5）和漏電極（4）之間制備用于探測甲烷氣體的有機層（6）。

8.根據權利要求8所述的一種基于機薄膜晶體管甲烷氣體傳感器的制備方法，其特征在于：所述柵電極（2）、源電極（5）、漏電極（4）通過真空熱蒸鍍、磁控濺射、等離子體增強的化學氣相沉積、絲網印刷、打印或旋涂中的任一方法制備。

9.根據權利要求8所述的一種基于機薄膜晶體管甲烷氣體傳感器的制備方法，其特征在于：所述柵極絕緣層（3）通過等離子體增強的化學氣相沉積、熱氧化、旋涂或者真空蒸鍍中的任一方法制備。

10.?根據權利要求8所述的一種基于機薄膜晶體管甲烷氣體傳感器的制備方法，其特征在于：所述有機層（6）通過等離子體增強的化學氣相沉積、熱氧化、旋涂、真空蒸鍍、旋涂、滴膜、壓印、印刷或氣噴中的任一方法制備。