[發明專利]一種尖劈型超透鏡的制備方法

有效

• 申請號: 201210107639.0
• 申請日: 2012-04-13
• 公開（公告）號: CN102621803A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 羅先剛;王長濤;趙澤宇;馮沁;劉凱鵬;胡承剛;黃成;楊磊磊;陶興;張鷥懿
• 申請（專利權）人: 中國科學院光電技術研究所
• 主分類號: G03F1/80
• 分類號: G03F1/80;G03F7/20;B82Y10/00
• 代理公司: 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251
• 代理人: 楊學明;顧煒

1.一種尖劈型超透鏡的制備方法，其特征在于：該方法的步驟如下：

步驟(1)在平整的紫外透明基底上依次涂布或沉積犧牲層和掩蔽層；

步驟(2)在掩蔽層上涂光刻膠，曝光得到直線結構；

步驟(3)將直線結構刻蝕傳遞到掩蔽層；

步驟(4)用掩蔽層做掩蔽，對犧牲層進行各向同性刻蝕，使掩蔽層部分懸空；

步驟(5)傾斜蒸鍍金屬/介質膜層交替組成的多層膜；

步驟(6)去除犧牲層和附著在犧牲層上的掩蔽層，得到位于紫外透明基底上的尖劈型超透鏡。

2.根據權利要求1所述的尖劈型超透鏡的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中的紫外透明基底可以為石英、玻璃、藍寶石或Si₃N₄基片，犧牲層為光刻膠、PMMA或其它有機材料，掩蔽層為鉻、銀、銅、鈦、SiO2、Si、SiC或Si₃N₄膜層。

3.根據權利要求1所述的尖劈型超透鏡的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中曝光的方法為接觸式曝光、接近式曝光或移動曝光。

4.根據權利要求1所述的尖劈型超透鏡的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中將直線結構刻蝕傳遞到掩蔽層的刻蝕方法為IBE、RIE或ICP。

5.根據權利要求1所述的尖劈型超透鏡的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中對犧牲層進行各向同性刻蝕的刻蝕方法為RIE或濕法腐蝕，在刻蝕犧牲層時光刻膠會被全部刻蝕去除或刻蝕部分厚度。

6.根據權利要求1所述的尖劈型超透鏡的制備方法，其特征在于：所述步驟(5)中的金屬/介質膜層，金屬膜層可以為銀、金或金銀合金，介質膜層為為SiO₂、Al₂O₃、SiC或Si₃N₄，蒸鍍的方向與直線結構的方向垂直，并與基底法線的方向夾角為100-180度。

7.根據權利要求1所述的尖劈型超透鏡的制備方法，其特征在于：所述步驟(6)中去除犧牲層、掩蔽層的方法為將基底置于丙酮、異丙醇或乙醇溶液中浸泡。