[發明專利]一種表面等離子體超分辨干法光刻方法有效
| 申請號： | 201210107638.6 | 申請日： | 2012-04-13 |
| 公開（公告）號： | CN102636965A | 公開（公告）日： | 2012-08-15 |
| 發明（設計）人： | 羅先剛;趙澤宇;王長濤;馮沁;王彥欽;劉利芹;陶興;胡承剛;黃成;楊磊磊 | 申請（專利權）人： | 中國科學院光電技術研究所 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;G03F7/30 |
| 代理公司： | 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251 | 代理人： | 楊學明;顧煒 |
| 地址： | 610209 *** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 表面 等離子體 分辨 光刻 方法 | ||
1.一種表面等離子體超分辨干法光刻方法，其特征在于：該方法包括以下步驟：
步驟(1)選擇拋光較好的基片，將其放于清洗液中煮沸30min，再分別用水、乙醇、丙酮進行超聲清洗，最后于烘箱中烘干；
步驟(2)在潔凈的基片上，先用磁控反應濺射鍍一層厚20nm無機光刻膠TeOx；
步驟(3)再于TeOx膜層上鍍一層厚20nm的金屬層；
步驟(4)反復鍍TeOx/金屬多層膜，最后一層為TeOx；
步驟(5)在Cr掩模板下，對多層膜進行曝光；
步驟(6)用IBE對曝光后的多層膜進行刻蝕；
步驟(7)去除殘余的Ag層，圖形制作完成。
2.根據權利要求1所述的表面等離子體超分辨干法光刻方法，其特征在于：所述步驟(1)中的基片可以是硅片或玻片，清洗液可以為1∶3的H2O2與濃H2SO4，烘箱溫度100～150℃。
3.根據權利要求1所述的表面等離子體超分辨干法光刻方法，其特征在于：所述步驟(2)中的磁控反應濺射電源為射頻，無機光刻膠TeOx中x值的要求是：0＜x＜2。
4.根據權利要求1所述的表面等離子體超分辨干法光刻方法，其特征在于：所述步驟(3)中的金屬層可以是Ag或Au，使用直流磁控濺射鍍膜。
5.根據權利要求1所述的表面等離子體超分辨干法光刻方法，其特征在于：所述步驟(4)多層膜的層數由實際干法顯影中的刻蝕選擇比決定。
6.根據權利要求1所述的表面等離子體超分辨干法光刻方法，其特征在于：所述步驟(5)中的曝光要選擇激光束斑小于1μm，強度約20mW/cm2的納秒脈沖激光。
7.根據權利要求1所述的表面等離子體超分辨干法光刻方法，其特征在于：所述步驟(6)中的IBE刻蝕深度由電鏡結果來判斷。
8.根據權利要求1所述的表面等離子體超分辨干法光刻方法，其特征在于：所述步驟(7)可以用王水或去鉻液來去除殘余的Ag。
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