[發明專利]光電子半導體芯片

無效

• 申請號: 201210107419.8
• 申請日: 2006-07-28
• 公開（公告）號: CN102664223A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 亞德里恩·阿夫拉梅斯庫;福爾克爾·黑勒;盧茨·赫佩爾;馬蒂亞斯·彼得;馬蒂亞斯·扎巴蒂爾;烏韋·施特勞斯
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L33/04
• 分類號: H01L33/04;H01S5/042;H01S5/343;B82Y20/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;李春暉

1.一種光電子半導體芯片，朝著半導體芯片(20)的生長方向(c)具有以下順序的區域：

-用于有源區(2)的p摻雜的阻擋層(1)，

-有源區(2)，其適合于產生電磁輻射，其中有源區基于六方結構的化合物半導體，以及

-用于有源區(2)的n摻雜的阻擋層(3)，其中

有源區(2)包括為產生輻射而設置的量子阱結構(8)；并且

朝著生長方向(c)看，在為產生輻射而設置的量子阱結構(8)之前設置有至少一個并不是為產生輻射而設置的量子阱結構(9)。

2.根據權利要求1所述的光電子半導體芯片，其中有源區基于III-V-半導體材料系In_yGa_1-x-yAl_xN，其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1。

3.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，其中在p摻雜的阻擋層(1)和有源區(2)之間設置有擴散勢壘(4)，該擴散勢壘適于防止摻雜材料擴散進有源區(2)。

4.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，其中朝著生長方向(c)看，在p摻雜的阻擋層(1)之前設置有隧道接觸(5)。

5.根據權利要求4所述的光電子半導體芯片，其中隧道接觸(5)具有高n摻雜的區域(5a)、高p摻雜的區域(5b)和在隧道接觸(5)的這兩個區域(5a，5b)之間擴散勢壘(14)。

6.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，其中朝著生長方向(c)看，在隧道接觸(5)之前設置有n型區域(6)。

7.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，其中半導體芯片的區域沉積到p型生長襯底上。

8.根據權利要求5所述的光電子半導體芯片，其中

有源區基于III-V-半導體材料系In_yGa_1-x-yAl_xN，其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1，并且

-擴散勢壘(14)是鋁濃度為至少百分之六十的Al_xGa_1-xN層。

9.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，其中有源區(2)包括正好一個為產生輻射而設置的單量子阱結構(8)。

10.根據權利要求5所述的光電子半導體芯片，其中擴散勢壘(14)的層厚度為1到2nm之間。

11.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，其中并不是為產生輻射而設置的量子阱結構(9)具有比為產生輻射而設置的量子阱結構更小的銦濃度。

12.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，其中在p摻雜的阻擋層(1)與有源區(2)之間設置有擴散勢壘(4)，該擴散勢壘包含III-V-半導體材料系Al_xGa_1-xN構成的材料，其中x≥0.2。

13.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，其中有源區(2)基于III-V-半導體材料系In_yGa_1-yN，其中0＜y≤1。

14.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，具有生長襯底(7)，該生長襯底(7)具有偏差取向。

15.根據權利要求14所述的光電子半導體芯片，其中生長襯底(7)的偏差取向為0.1°到1.0°之間。

16.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，其中生長襯底(7)被薄化。

17.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，其中半導體芯片以Ga面生長模式來生長。

18.一種光電子器件，其帶有根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，具有端子(183，184)，光電子半導體芯片(20)可通過這些端子被電接觸。