[發(fā)明專利]一種小電極結(jié)構(gòu)阻變存儲器及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210107418.3
• 申請日: 2012-04-12
• 公開（公告）號: CN102664235A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡一茂;毛俊;黃如;譚勝虎;黃英龍;潘越
• 申請（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;G11C13/00
• 代理公司: 北京君尚知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11200
• 代理人: 余長江

1.一種小電極結(jié)構(gòu)阻變存儲器，其特征在于依次包括Al電極層、SiO₂層、Si層，阻變層和下電極層；其中，Al電極層與阻變層通過一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電通道電連接，所述導(dǎo)電通道為Al經(jīng)SiO₂層缺陷滲入到Si層而使Si溶解于Al形成的。

2.如權(quán)利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于根據(jù)V/A的值選取Si層的厚度大?。黄渲?，V為Si在Al中擴(kuò)散距離，A為導(dǎo)電通道中的Al與Si層的接觸面積。

3.如權(quán)利要求1或2所述的阻變存儲器，其特征在于Si層的厚度大于100nm；SiO₂層的厚度為100nm。

4.如權(quán)利要求3所述的阻變存儲器，其特征在于所述阻變層的材料為氧化鉿；所述下電極層為Pt。

5.一種小電極結(jié)構(gòu)阻變存儲器制備方法，其步驟為：

1)在沉底上依次制備一下電極層、一阻變層；

2)在所述阻變層上依次制備一Si層、一SiO₂層；

3)在所述SiO₂層上制備一Al電極層；

4)對上述所得結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火處理，使Al電極層與阻變層之間形成一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電通道；

所述導(dǎo)電通道為Al經(jīng)SiO₂層缺陷滲入到Si層而使Si溶解于Al形成。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于所述步驟2)中，首先在所述阻變層上制備一Si層，然后對Si層表面進(jìn)行氧化制備所述SiO₂層。

7.如權(quán)利要求5或6所述的方法，其特征在于根據(jù)V/A的值選取Si層的厚度大??；其中，V為Si在Al中擴(kuò)散距離，A為導(dǎo)電通道中的Al與Si層的接觸面積。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于Si層的厚度大于100nm；SiO₂層的厚度為100nm。

9.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于采用化學(xué)汽相淀積方法制備所述下電極層和所述阻變層；采用物理汽相淀積制備所述Si層；先化學(xué)汽相淀積一層Si，然后采用擴(kuò)散工藝氧化Si層的表面，形成一層SiO₂；采用原子層淀積制備所述Al電極層。

10.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于所述阻變層的材料為氧化鉿；所述下電極層為Pt。