[發明專利]用于調節輻射束的光學設備、光刻設備和器件制造方法

有效

• 申請號: 201210107106.2
• 申請日: 2012-04-12
• 公開（公告）號: CN102736444A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: G·C·德弗里斯;簡·伯納德·普萊徹爾墨斯·范斯庫特;F·J·J·杰森;N·A·J·M·范阿爾勒
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G02B17/06;G02B5/08;G02B5/02;G02B1/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳敬蓮

1.一種用于調節輻射束的光學設備，所述設備包括：

第一反射部件，所述第一反射部件布置成接收來自輻射源的輻射束，并將所述輻射束反射至第二反射部件，第一反射部件包括初級反射元件；

第二反射部件，所述第二反射部件布置成將所述束反射至目標位置并包括次級反射元件陣列，

其中，

初級反射元件布置成將在第一波長范圍內的輻射反射至相關的次級反射元件或反射至相關的次級反射元件的子組中的一個次級反射元件，和其中初級反射元件形成為使得在第二波長范圍內的輻射將遭受一定程度的散射，該散射程度被設定為使得在第二波長范圍內的所述輻射的大部分被朝向第二反射部件引導，而不是朝向相關的次級反射元件或朝向相關的次級反射元件的所述子組引導。

2.如權利要求1所述的光學設備，其中所述散射程度使得在第二波長范圍內的輻射的小于25％，可選地小于15％、5％或1％被從初級反射元件引導至相關的次級反射元件或引導至相關的次級反射元件的子組中的一個次級反射元件。

3.如權利要求2所述的光學設備，其中從初級反射元件至相關的次級反射元件或至相關的次級反射元件的子組中的一個次級反射元件的距離大于所述相關的次級反射元件或相關的次級反射元件的子組中的一個次級反射元件的最小橫向尺寸的10倍，可選地大于所述相關的次級反射元件或相關的次級反射元件的子組中的一個次級反射元件的最小橫向尺寸的20倍。

4.如權利要求1-3中任一項所述光學設備，其中第一波長范圍在EUV波長范圍的5-20nm內，或在13-14nm范圍內或在6.5-7nm范圍內。

5.如權利要求1-4中任一項所述光學設備，其中第二波長范圍在DUV波長范圍的100-400nm范圍內，或可選地在110-300nm波長范圍內。

6.如權利要求1-5中任一項所述光學設備，其中初級反射元件的方向是可控制的，以便在不同時間將輻射朝向相關的次級反射元件的所述子組中的一個次級反射元件引導，相關的次級反射元件中的每一個被將沿離開目標位置的方向引導從初級反射元件接收的輻射的次級反射元件圍繞在次級反射元件陣列中。

7.如權利要求1-6中任一項所述光學設備，其中初級反射元件包括用于反射在第一波長范圍內的輻射的反射鏡結構和在所述反射鏡結構頂部上的涂層，所述涂層用于對第二波長范圍中的輻射施加該程度的散射。

8.如權利要求7所述光學設備，其中所述涂層包括厚度小于30nm的層。

9.如權利要求7所述光學設備，其中所述涂層包括尺寸小于100nm、可選地小于30nm的硅粒的層。

10.如權利要求9所述光學設備，其中硅粒的層基本上是單層。

11.如權利要求7-10中任一項所述光學設備，其中所述涂層包括波紋狀層。

12.如權利要求1-11中任一項所述光學設備，其中初級反射元件包含相位光柵結構，所述相位光柵結構配置成抑制在第三波長范圍內的輻射朝向目標位置的反射，在第三波長范圍中的波長長于1μm。

13.如權利要求1-12中任一項所述光學設備，其中初級反射元件是初級反射元件陣列中的一個初級反射元件，并且其中次級反射元件中的每一個布置成在場平面處或場平面附近形成其相關的初級反射元件的圖像，相應的圖像基本上是重疊的。

14.一種光刻設備，包括：

照射系統；

支撐結構，構造用以支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束以形成圖案化的輻射束；

襯底臺，構造成保持襯底；

投影系統，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標部分上；和

如權利要求1-13中任一項所述的光學設備，配置成調節照射系統中的輻射束。

15.一種器件制造方法，包括步驟：將圖案化的輻射束投影到襯底上，其中圖案化的輻射束由通過如權利要求1-13中任一項所述的光學設備調節的輻射束形成。