[發(fā)明專利]光掩模用基板、光掩模、光掩模制造方法及圖案轉印方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210106975.3 | 申請日: | 2012-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN102736402A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 土屋雅譽;池邊壽美 | 申請(專利權)人: | HOYA株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/60 | 分類號: | G03F1/60;G03F7/00;G03F7/20;G02B5/20 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光掩模用基板 光掩模 制造 方法 圖案 | ||
1.一種光掩模用基板,其用于在第1主表面上形成轉印用圖案而成為光掩模,且該光掩模用基板的厚度為T,該光掩模用基板的特征在于,
在處于所述第1主表面的背面的第2主表面上,相隔10mm的任意兩點的高低差為ΔZb時,所述第2主表面的與所述第1主表面的圖案形成區(qū)域對應的區(qū)域內的ΔZb滿足ΔZb≤(1/T)×3.0,
其中,所述T的單位是mm,所述ΔZb的單位是μm。
2.一種光掩模,其在第1主表面上形成有轉印用圖案,且該光掩模的厚度為T,該光掩模的特征在于,
在處于所述第1主表面的背面的第2主表面上,相隔10mm的任意兩點的高低差為ΔZb時,所述第2主表面的與所述第1主表面的圖案形成區(qū)域對應的區(qū)域內的ΔZb滿足ΔZb≤(1/T)×3.0,
其中,所述T的單位是mm,所述ΔZb的單位是μm。
3.根據權利要求2所述的光掩模,其特征在于,
該光掩模用于接近式曝光。
4.根據權利要求2所述的光掩模,其特征在于,
該光掩模用于制造濾色片。
5.一種光掩模的制造方法,該光掩模在第1主表面上具有轉印用圖案,該光掩模的制造方法的特征在于,
準備厚度為T的光掩模用基板,在該光掩模用基板中,當處于所述第1主表面的背面的第2主表面上的相隔10mm的任意兩點的高低差為ΔZb時,所述第2主表面的與所述第1主表面的圖案形成區(qū)域對應的區(qū)域內的ΔZb滿足ΔZb≤(1/T)×3.0,其中,所述T的單位是mm,所述ΔZb的單位是μm;
在所述光掩模的第1主表面上形成光學膜;
對所述光學膜實施構圖來形成轉印用圖案。
6.一種光掩模的制造方法,該光掩模在第1主表面上具有轉印用圖案,該光掩模的制造方法的特征在于,
在厚度為T的光掩模用基板的處于所述第1主表面的背面的第2主表面上,隔開預定的相隔距離P等間隔地設定多個測定點,其中,所述T的單位是mm,所述P的單位是mm;
分別求出該多個測定點相對于所述第2主表面的基準面的高度Z;
準備滿足如下條件的所述光掩模用基板:當設所述多個測定點的高度Z的最大值與最小值之差為高度變動的最大值ΔZbmax時,ΔZbmax≤(P/T)×0.3;
在所述準備的光掩模用基板的第1主表面上形成光學膜;
在所述光學膜上形成抗蝕劑膜;
將所述光掩模用基板載置于描繪裝置的工作臺上,描繪預定的轉印用圖案;
對描繪后的所述光掩模用基板實施抗蝕劑顯影和光學膜構圖,形成所述轉印用圖案。
7.根據權利要求6所述的光掩模的制造方法,其特征在于,
將所述相隔距離P設為5mm≤P≤15mm。
8.根據權利要求5或6所述的光掩模的制造方法,其特征在于,
所述光掩模用于接近式曝光。
9.根據權利要求5或6所述的光掩模的制造方法,其特征在于,
所述轉印用圖案用于制造濾色片。
10.一種圖案轉印方法,使用接近式曝光機,將光掩模具有的轉印用圖案轉印至被轉印體,該圖案轉印方法的特征在于,
利用所述接近式曝光機對權利要求2~4中任意一項所述的光掩模進行曝光。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





