[發明專利]一種氧化亞銅納米八面體材料的制備方法

有效

• 申請號: 201210106970.0
• 申請日: 2012-04-13
• 公開（公告）號: CN102618925A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 王乙潛;梁文雙;杜慶田;刁飛玉
• 申請（專利權）人: 青島大學
• 主分類號: C30B29/16
• 分類號: C30B29/16;C30B29/66;C30B7/00;C01G3/02;B82Y40/00
• 代理公司: 青島高曉專利事務所 37104
• 代理人: 張世功

1.一種氧化亞銅納米八面體材料的制備方法，其特征在于具體步驟包括：

(1)、基礎溶液配制：將硫酸銅粉末放入容器中，再加入乳酸混合攪拌均勻，然后用蒸餾水稀釋并不斷攪拌，配制成含有乳酸濃度為3mol/L，硫酸銅濃度為0.4mol/L的乳酸銅基礎溶液；

(2)、調節溶液pH：將氫氧化鈉用蒸餾水溶解并稀釋，配制成濃度為4mol/L的氫氧化鈉溶液；用滴管將氫氧化鈉溶液逐滴加入到所配制的乳酸銅基礎溶液中并不斷攪拌，調節其pH至9后將其在水浴下加熱到60℃備用；

(3)、導電基片處理：將鋁片壓平后用彎嘴鑷子的背面輕刮鋁片的表面，使其表面形成細微的劃痕，然后將有劃痕的鋁片放入乙醇中超聲清潔3min后，再用蒸餾水清洗其表面，晾干備用；其中鋁片表面的劃痕寬度為微米量級，劃痕區域表面粗糙，有利于納米晶的沉積生長；

(4)、Cu₂O納米八面體制備：將水浴溫度恒定在60℃，再將處理過的有劃痕的鋁片浸入乳酸銅基礎溶液中，恒溫加熱30min即得Cu₂O納米八面體；在鋁片的劃痕區域沉積有形狀規整的納米八面體，其尺寸為130-180nm；鋁片的無劃痕區域沒有納米顆粒的形成；Cu₂O納米八面體為單晶Cu₂O，納米晶的生長方向為<001>方向。